IXYS Neueste Halbleiter

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IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
07.20.2026
Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.
IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
07.20.2026
Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.
IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
02.02.2026
Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
01.20.2026
600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
10.08.2025
Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
09.19.2025
Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
IXYS IX4352NEAU Low-Side-Gate-Treiber
IXYS IX4352NEAU Low-Side-Gate-Treiber
09.04.2025
Speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt.
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
08.27.2025
Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.
IXYS IX3407B Isolierter Einkanal-Gate-Treiber
IXYS IX3407B Isolierter Einkanal-Gate-Treiber
06.30.2025
Bietet einen typischen Spitzenausgangsstrom von 7 A für Quelle und Senke an separaten Ausgangspins.
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen
04.14.2025
Verfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.
IXYS IXD0579M Gate-Treiber
IXYS IXD0579M Gate-Treiber
04.03.2025
High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit einer hohen Frequenz von 100 V und einer integrierten Bootstrap-Diode.
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden
04.03.2025
Bietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
03.25.2025
Das 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
03.17.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET mit einem 1200 V, 30 mΩ 79 A industrietauglichen Gerät in einem TO263-7L-Gehäuse.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXD2012N Gate-Treiber
IXYS IXD2012N Gate-Treiber
02.18.2025
Der High-Side- und Low-Side-Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber schaltet bis zu 200 V im Bootstrap-Betrieb.
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
11.28.2024
Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.
IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden
IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden
11.22.2024
Zwei Universal-Leistungsschaltdioden in einer Konfiguration mit gemeinsamer Kathode und einem TO-247-Gehäuse.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
07.25.2024
Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung. 
IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter
IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter
07.22.2024
Dieses Bauteil wird häufig als Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) verwendet.
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    Analog Devices Inc. MAX22915EVKIT Evaluation Kit
    Analog Devices Inc. MAX22915EVKIT Evaluation Kit
    08.04.2026
    A proven design for evaluating the MAX22915, an 8-channel high-switch with advanced diagnostics.
    Texas Instruments ISO7741U Evaluation Module
    Texas Instruments ISO7741U Evaluation Module
    08.04.2026
    Galvanically isolated, quad-channel evaluation module in an ultra-wide-SSOP package (DUW-16).
    Texas Instruments TRF2001 ISM Band Multiprotocol & Wi-SUN RF FEM
    Texas Instruments TRF2001 ISM Band Multiprotocol & Wi-SUN RF FEM
    08.04.2026
    A high-performance RF FEM for low-power wireless applications in the sub-1GHz band.
    Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluation Modules
    Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluation Modules
    08.04.2026
    Radiation-tolerant supervisor evaluation modules with flexible rail monitoring.
    Analog Devices Inc. MAX22915 Industrial Octal High-Side Switch
    Analog Devices Inc. MAX22915 Industrial Octal High-Side Switch
    08.04.2026
    Built-in 7-bit ADC to monitor chip temperature, per-channel output current, or VDD supply voltage.
    Texas Instruments BQ25640EVM Evaluation Module
    Texas Instruments BQ25640EVM Evaluation Module
    08.03.2026
    Complete evaluation system for the BQ25640 IC, a switch-mode buck single-cell battery charger.
    Chip Quik DFN-6 to DIP-6/10 SMT Adapters
    Chip Quik DFN-6 to DIP-6/10 SMT Adapters
    08.03.2026
    Constructed using FR-4 material and PCB measures 25.4mm x 7.62mm x 1.6mm.
    Infineon Technologies DEMO_HV_PACKAGE Evaluation Board
    Infineon Technologies DEMO_HV_PACKAGE Evaluation Board
    07.30.2026
    Explore high-voltage packages with CoolSiC™ and CoolMOS™ for efficient, reliable power performance.
    STMicroelectronics EVL9965P-N/EVL99BM2P-FN Promotional Boards
    STMicroelectronics EVL9965P-N/EVL99BM2P-FN Promotional Boards
    07.30.2026
    Provides the user with a platform to evaluate the L9965P/L99BM2P devices in a QFN package.
    STMicroelectronics EVL9965A/EVL99BM218 Promotional Boards
    STMicroelectronics EVL9965A/EVL99BM218 Promotional Boards
    07.30.2026
    Promotional boards for the L9965A/L99BM218 devices in battery management systems.
    STMicroelectronics EVL9965T/EVL99BM2T Promotional Boards
    STMicroelectronics EVL9965T/EVL99BM2T Promotional Boards
    07.30.2026
    These promotional boards integrate the L9965T or L99BM2T BMS transceiver in a BMS system.
    STMicroelectronics EVL9965C-L/EVL99BM2C-L Promotional Boards
    STMicroelectronics EVL9965C-L/EVL99BM2C-L Promotional Boards
    07.30.2026
    Promotional boards for the L9965C-L/L99BM2C-L to monitor current, charge, and isolation.
    onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET
    onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET
    07.30.2026
    Features low RDS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.
    onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)
    onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)
    07.30.2026
    Designed to replace a single device and its external resistor bias network.
    NXP Semiconductors TJA1046 Dual High-Speed CAN Transceivers
    NXP Semiconductors TJA1046 Dual High-Speed CAN Transceivers
    07.30.2026
    Dual high-speed CAN transceivers with Standby mode and CAN FD support.
    Chip Quik Extra-Narrow SMT-to-DIP Adapters
    Chip Quik Extra-Narrow SMT-to-DIP Adapters
    07.29.2026
    Designed to replace obsolete DIP ICs with newer surface-mount components.
    STMicroelectronics AEK-MOT-8DCMH98 Half-Bridge DC Motor Driver
    STMicroelectronics AEK-MOT-8DCMH98 Half-Bridge DC Motor Driver
    07.28.2026
    Designed to drive eight configurable channels in half-bridge or four channels in full-bridge mode.
    STMicroelectronics STEVAL-PDUBV1 Power Distribution ECU
    STMicroelectronics STEVAL-PDUBV1 Power Distribution ECU
    07.28.2026
    Based on the SPC58NG84E7 Chorus 6M MCU and STi2Fuse devices.
    STMicroelectronics AEK-POW-PDUMINI PDU Board
    STMicroelectronics AEK-POW-PDUMINI PDU Board
    07.28.2026
    Manages low-voltage power distribution in vehicles by consolidating connections in a compact design.
    Infineon Technologies SPOC™ Wire Guard Power Switch IC
    Infineon Technologies SPOC™ Wire Guard Power Switch IC
    07.27.2026
    Features a 24‑bit SPI interface with CRC and driving loads up to a nominal current of 34.5A.
    Renesas Electronics EBC10296 & EBC10320 SSR + GaN SIPs
    Renesas Electronics EBC10296 & EBC10320 SSR + GaN SIPs
    07.27.2026
    Combo solution of SSR + GaN with up to 100W power design.
    Renesas Electronics EBC10293 240W PD3.2 EPR Design Board
    Renesas Electronics EBC10293 240W PD3.2 EPR Design Board
    07.27.2026
    Includes with RRW11011, RRW40120, RRW43110, and RRW30120 converters.
    Infineon Technologies DEMO_AC_ZVS_HVBDS Evaluation Board
    Infineon Technologies DEMO_AC_ZVS_HVBDS Evaluation Board
    07.27.2026
    Demonstrates the AC soft-switching capability of CoolGaN™ Bidirectional Switch (BDS) 650V G5.
    Renesas Electronics PTX205RIOTEB Evaluation Board
    Renesas Electronics PTX205RIOTEB Evaluation Board
    07.27.2026
    Combines the Config Tool GUI to enable easy, fast evaluation of PTX205R NFC IC performance.
    Renesas Electronics EBC10298 PSR GaN SIP
    Renesas Electronics EBC10298 PSR GaN SIP
    07.27.2026
    A combination of a PSR and GaN, with up to 65W of power and a low BOM cost.
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