IR-Emitter und Silizium-PIN-Fotodiode

Die IR-Emitter und Silizium-PIN-Fotodioden von Vishay Semiconductors sind 830 nm und 950 nm Hochgeschwindigkeits-Infrarotstrahler und an das Gehäuse angepasste Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Fotodioden mit hoher Strahlungsempfindlichkeit von 1 mW/sr bis 1.800 mW/sr. Die Anstiegs- und Abfallzeiten reichen von 2,5 ns bis 1.000 ns. Vishay bietet Dual-Heterojunction-Infrarotstrahler mit den niedrigsten Durchlassspannungen auf dem Markt und hocheffiziente Homojunction-Emitter. Vishay bietet außerdem die größte Auswahl an Hochgeschwindigkeits-PIN-Fotodioden mit geringem Dunkelstrom, die speziell für eine ausgezeichnete Empfindlichkeit zusammen mit einer hohen Zuverlässigkeit ausgelegt sind.

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Vishay Semiconductors Fotodioden Reverse gullwing 350-1120nm +/-35 deg
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 850nm,T-1.75 600mW/sr,+/-3deg.
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Vishay Semiconductors Fotodioden Sideview 790-1050nm +/-60 deg
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 850nm, T-1.75 180mW/sr, +/-10deg.
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 875nm, TO-18 6mW/sr, +/-30deg.
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Vishay Semiconductors Fotodioden Reverse gullwing 790-1050nm +/-15 deg
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter IR Emitter 950nm
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter SurflightVCSEL 850nm 16mW/sr, +/-40deg.
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Vishay Semiconductors Fotodioden Reverse gullwing 780-1050nm +/-65 deg
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 950nm,T-.75 1.5mW/sr,+/-55deg.
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 940nm, SMD 11mW/sr, +/-12deg.
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter H. Spd IR Emtr Diode 850nm
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter HIGH SPEED IR SURF.EMIT.DIODE 940NM-E4
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