33.333333 MHz Oszillatoren von MEMS

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Verpackung/Gehäuse Frequenz Frequenzstabilität Ladekapazität Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Ausgabeformat Nennstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Qualifikation Serie


SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 105C, 7050, 20ppm, Default Dr Str, 3.3V, 33.3333MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 214Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

33.333333 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4.7 mA - 40 C + 105 C SIT8918B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 50ppm, 1.8V, 33.333333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 178Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

33.333333 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS 33.333333MHz 1.8V -40C +85C 20ppm 26Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 33.333333 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 50ppm, 2.25V-3.63V, 33.333333MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 196Auf Lager
1’000erwartet ab 04.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

33.333333 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 250Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 33.333333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

33.333333 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 20ppm, 1.8V, 33.333333MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm 315Auf Lager
3’000erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

33.333333 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS 33.333333MHz 1.8V 50ppm -40C +85C 329Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 33.333333 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 1.89 V LVCMOS, LVTTL - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime Oszillatoren von MEMS 33.333333MHz 1.8V -40C +85C 20ppm
1’140erwartet ab 09.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 33.333333 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime SiT8008BI-21-33E-33.333333E
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 20ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, Default, 1k pcs T&R 8 mm
997erwartet ab 09.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

33.333333 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SIT8008
SiTime Oszillatoren von MEMS 33.333333MHz 50ppm 3.3V+/-10% -40C+85C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

2 mm x 1.6 mm 33.333333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

2.5 mm x 2 mm 33.333333 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

2.5 mm x 2 mm 33.333333 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 50ppm, 1.8V, 33.333333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 33.333333 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

3.2 mm x 2.5 mm 33.333333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

2 mm x 1.6 mm 33.333333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

2 mm x 1.6 mm 33.333333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 33.333333MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

33.333333 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 33.333333MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

33.333333 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 2520, 50ppm, 1.8V, 33.333333MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

33.333333 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

33.333333 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

33.333333 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 50ppm, 1.8V, 33.333333MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

33.333333 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

33.333333 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime Oszillatoren von MEMS -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
: 3’000

33.333333 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B