OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 8 von Infineon Technologies sind N-Kanal-MOSFETs mit Normalpegel und einer Nennspannung von 80 V oder 100 V sowie einem sehr niedrigen Durchlasswiderstand [RDS(ON)]. Die 80-V-MOSFETs sind in beidseitig gekühlten Gehäusen (WSON-8) erhältlich, während die 100-V-MOSFETs in einem standardmäßigen TDSON-8-Gehäuse geliefert werden. Jedes Gehäuse zeichnet sich durch eine hervorragende thermische Beständigkeit aus und ist zu 100 % Avalanche-getestet. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 8 von Infineon Technologies verfügen über eine Diode mit sanfter Erholung und sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Datenblatt
3’191Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 4’000
Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 269 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package
Datenblatt
2Auf Lager
5’000erwartet ab 22.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5’000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.33 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 59 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
Datenblatt
693Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 408 A 0.94 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 255 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
Datenblatt
1’284Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 160 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
Datenblatt
551Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 176 A 1.76 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 160 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS™ 8 power MOSFET 100 V Normal Level in D2PAK-7
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Datenblatt
15’374Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 5’000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL
Datenblatt
3’876Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 484 A 0.93 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 255 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package
Datenblatt
4’983erwartet ab 15.07.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5’000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V
Datenblatt
3’980erwartet ab 12.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4’000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape