Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor Bipolartransistoren - BJT Transistor, BJT PNP -50V (Vceo), -150mA (Ic), 3-Pin
Datenblatt
7’111Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 8’000
Si SMD/SMT SOT-723-3 PNP Single 200 mA 50 V 60 V 6 V 500 mV 150 mW 140 MHz 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Bipolartransistoren - BJT Transistor, BJT NPN 50V (Vceo), 150mA (Ic), 3-Pin
Datenblatt
7’002Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 8’000
Si SMD/SMT SOT-723-3 PNP Single 200 mA 50 V 60 V 7 V 400 mV 150 mW 180 MHz 150 C Reel, Cut Tape