533 MHz Integrierte Schaltkreise - ICs

Arten von integrierten Schaltkreisen - ICs

Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 36
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

Alliance Memory DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM LPDDR2 512Mb 533MHz 64Mx32 IT Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI IS43LD16256C-18BLI-TR
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 256Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI IS43LD16256C-18BLI
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 256Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1