18 bit Speicher-ICs

Arten von Speicher-ICs
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Organisation
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Texas Instruments FIFO 2048 x 18 Synch FIFO Memory
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 160
Mult.: 160

FIFO SMD/SMT TQFP-64 36 kbit 2 k x 18 0 C + 70 C Tray
Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

FIFO SMD/SMT TQFP-64 72 kbit 4 k x 18 0 C + 70 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit 16 M x 18 - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit 16 M x 18 - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 - 40 C + 95 C Tray
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 50
Mult.: 1
Nein
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit 256 k x 18 0 C + 70 C Tray
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 50
Mult.: 1
Nein
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit 256 k x 18 - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 0 C + 95 C
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 0 C + 95 C Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 0 C + 95 C
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit 32 M x 18 0 C + 95 C Bulk