32 bit Reel Speicher-ICs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Produkt-Typ Montageart Verpackung/Gehäuse Speichergröße Organisation Schnittstellen-Typ Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit 2 M x 32 0 C + 70 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit 4 M x 32 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit 4 M x 32 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit 4 M x 32 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm), T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit 8 M x 32 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit 8 M x 32 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit 8 M x 32 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit 8 M x 32 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit 16 M x 32 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT TFBGA-90 256 Mbit 8 M x 32 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit 8 M x 32 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gbit 128 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gbit 128 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gbit 128 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gbit 128 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit 128 M x 32 - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit 2 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit 2 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit 2 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit 4 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit 4 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit 8 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit 8 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit 8 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit 8 M x 32 - 40 C + 85 C Reel