Zum Hauptinhalt wechseln

Teil der TTI Family of SpecialistsKontaktieren Sie Mouser (Deutschland) +49 (0)89 520 462 110Feedback

Standort ändern

+49 (0)89 520 462 110 Standort ändern

Auf Lager

RoHS

Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

IS43R32400E-5BL

ISSI

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-IS43R32400E-5BL

Herst.- Nr.:

IS43R32400E-5BL

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

DRAM 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 200MHz at CL3, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS

Lebenszyklus:

Sonderbestellung ab Werk:

Holen Sie ein Angebot ein, um den aktuellen Preis, die Durchlaufzeit und die Bestellanforderungen des Herstellers zu bestätigen.

Datenblatt:

IS43R32400E-5BL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM - DDR
Speichergröße:	128 Mbit
Datenbus-Weite:	32 bit
Maximale Taktfrequenz:	200 MHz
Verpackung/Gehäuse:	BGA-144
Organisation:	4 M x 32
Zugangszeit:	5 ns
Versorgungsspannung - Min.:	2.3 V
Versorgungsspannung - Max.:	2.7 V
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Serie:	IS43R32400E
Verpackung:	Tray
Marke:	ISSI
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	189
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	320 mA

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IS43R32400E-5BL Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8542319090
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EMPFOHLENE PRODUKTE

ISSI

LPDDR4 und LPDDR4X mobiler SDRAM

Niederspannungs-Speicherbauteile, die in Dichten von 2 GB, 4 GB und 8 GB verfügbar sind und sich hervorragend für mobile Applikationen eignen.

512Mbx8 und 256Mbx16 DDR4 SDRAM

Hochgeschwindigkeits-DRAM-Bauteile, die intern mit einer Acht-Bank-Anordnung ausgestattet sind.

Deliver high-speed data transfer rates up to 2133Mbps.

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

Mobile LPDDR2 SDRAM

High-speed operation, using a double data rate architecture, a prefetch architecture.

Auf Lager: 102

Lagerbestand:: 102 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Bestellmengen größer als 102 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 6.30	CHF 6.30
	CHF 5.87	CHF 58.70
	CHF 5.69	CHF 142.25
	CHF 5.43	CHF 271.50
	CHF 5.30	CHF 530.00