4 Mbit NVRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Verpackung/Gehäuse
Schnittstellen-Typ
Speichergröße
Organisation
Datenbus-Weite
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Betriebsversorgungsstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
Datenblatt
723Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
68Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1250AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
18Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1250Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
15Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
55Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

PowerCap Module-34 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250YP Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
Datenblatt
281Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104M Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
11erwartet ab 23.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1250Y Tube

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

PDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 11
Mult.: 11

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA - 40 C + 85 C DS1250W Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

PowerCap Module-34 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1250WP Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 11
Mult.: 11

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 400
Mult.: 40

PowerCap Module-34 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1350W Tray