800 MHz Speicher-ICs

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Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 E-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 I-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, (B-die), INDUSTRIAL TEMP - Tray Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2’200
Mult.: 2’200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2’200
Mult.: 2’200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2’200
Mult.: 2’200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2’200
Mult.: 2’200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1’900
Mult.: 1’900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1’900
Mult.: 1’900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1’900
Mult.: 1’900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1’900
Mult.: 1’900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1’900
Mult.: 1’900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 8 Gbit
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
DRAM SMD/SMT BGA-96 8 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit