133 MHz DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
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Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR
Datenblatt
959erwartet ab 09.08.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160E Tray
Alliance Memory DRAM 128M 8Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
Datenblatt
490Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-49 8 M x 16 70 ns 1.7 V 1.95 V - 30 C + 85 C AS1C8M16PL-70 Tray
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 133MHz 64M x 8 COM TEMP
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C MT48LC Tray
Alliance Memory DRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

SDRAM 512 Mbit 16 bit 133 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 17 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C32M16SC Reel
Alliance Memory DRAM 512Mb 64Mx8 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 17 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C64M8SC Reel
Alliance Memory DRAM SDRAM 512Mb (64Mx8), 3.3V, 54p TSOP II, 133MHz, Commercial Temp, Rev.D
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 108
Mult.: 108

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM 512Mb (64Mx8), 3.3V, 54p TSOP II, 133MHz, Commercial Temp, Rev.D, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500
SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM16160K Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM32160E Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM32800K Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 108
Mult.: 108

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 108

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel