TFBGA-48 SRAM

Ergebnisse: 80
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
Alliance Memory SRAM SRAM, 16Mb, 1024K x 16, 3.3V, 48-ball TFBGA, 10ns, Industrial Temp - Tray 739Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 415Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Bulk
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 48ball TFBGA, (B-die), Industrial Temp - Tray 388Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 53Auf Lager
480erwartet ab 19.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 4Mb 256Kx16 55ns Async SRAM 198Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 55 ns 18 MHz Parallel 3.6 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 8Mb 1Mbx8 55ns Async SRAM 164Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM SRAM, 8Mb, 512K x 16, 3.3V, 48-ball TFBGA, 10ns, Industrial Temp - Tray 518Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM SRAM, 16Mb, 1024K x 16, 3.3V, 48ball TFBGA, 10ns, Industrial Temp - Tray 325Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS 3’794Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 4’005Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 2’319Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 312Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 227Auf Lager
2’880erwartet ab 11.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 202Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 149Auf Lager
2’500erwartet ab 07.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 1Mb 64Kx16 55ns Async SRAM 208Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
471erwartet ab 28.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
551erwartet ab 20.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
480erwartet ab 18.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 8Mb, 512K x 16, 2.7 3.6V, 48ball TFBGA (6x8mm) (two chip select pins:B5 and A6), 45ns, Industrial Temp, B Die
475erwartet ab 27.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4’800
Mult.: 4’800

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48