Diodes Incorporated DML1012ALDSQ Intelligenter Einkanal-Lastschalter
Der DML1012ALDSQ Intelligente Einkanal-Lastschalter von Diodes Inc. bietet einen sehr niedrigen On-Widerstand in einem kleinen Gehäuse. Er enthält einen N-Kanal-MOSFET für den Betrieb bei einer Eingangsspannung bis zu VBIAS = 1,5 V und einen 6-A-Kanal mit einer Vorspannungsversorgung von 3,2 V bis 5,5 V. Ein Niederspannungs-Steuersignal steuert den DML1012ALDSQ Intelligenten Lastschalter von Diodes Inc. über den ON-Pin.
The DML1012ALDSQ smart load switch supports an input voltage range of 0.8V to 4V, making it suitable for a wide variety of subsystem power rail applications. Its ultra-low RDS(ON) of 8mΩ (max.) reduces conduction losses and helps minimize heat generation. With a low junction-to-case thermal resistance (RθJC) of 8°C/W, the device can deliver up to 6A of continuous output current. The low quiescent current further enhances efficiency during power-gating operation while reducing standby power consumption. Additionally, the enable pin supports accurate, microcontroller-controlled power sequencing.
The DML1012ALDSQ integrates several protection and control features that help reduce PCB footprint and accelerate system design compared with discrete implementations. Controlled output-voltage slew-rate limits inrush current during startup, improving overall system stability. An integrated quick-output discharge function ensures rapid discharge of the downstream circuitry during shutdown. The device also incorporates undervoltage lockout (UVLO), which disables operation when the input supply falls below a defined threshold, helping maintain predictable system behavior and reliable power conditions.
The DML1012ALDSQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q101 qualified, PPAP-capable, and manufactured in IATF 16949-certified facilities.
Merkmale
- Der niedrige RDS(ON) gewährleistet minimale Durchlassverluste
- 0,8 V bis VBIAS in einem Eingangsspannungsbereich von 1,5 V
- Dauerstrom: 6 A
- Interne nFETs mit niedrigem RDS(ON) von 8 mΩ bei V BIAS= 5 V, VIN= 1,05 V, T A= +85 °C
- 28 µA Niedriger Ruhestrom
- Anstiegszeit von 20 µs
- 3,2 V bis 5,5 V Vorspannung
- Integrierter Widerstand für die Ausgangsentladung
- Bleifrei und RoHS-konform
- „Grünes“ Gerät ohne Halogen und Antimon.
- AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und wird in IATF 16949 zertifizierten Anlagen hergestellt
Applikationen
- Fahrzeug-/Industrieelektronik
- ADAS (fortschrittliche Treiber)
- Infotainment
Typical Power Sequencing Circuit
Funktionales Blockdiagramm
