Infineon Technologies KIT_HB_GaN Halbbrücken-Tochterplatinen

Infineon Technologies KIT_HB_GaN-Halbbrücken-Tochterboards integrieren  verschiedene Gate-Treiberlösungen für CoolGaN™ Transistoren 650V G5. Diese Tochterboards ermöglichen den Betrieb von Transistoren CoolGaN™ mit unipolaren oder bipolaren Gate-Source-Spannungen und gewährleisten so die Kompatibilität mit GIT-Produkten (Gate Injection Transistor). Die Tochterboards KIT_HB_GaN sind eine einfach zu integrierende Lösung für Designs mit isolierten Ein- oder Zweikanal-Gate-Treiber-ICs. Diese Tochterboards werden mit Jumper-Drähte konfiguriert, ohne dass dabei das Layout berücksichtigt werden muss. Die Tochterboards KIT_HB_GaN bieten eine Reihe von Gate-Treiber-IC-Optionen, darunter den isolierten einkanaligen EiceDRIVER™ 1EDB7275F und den nicht isolierten EiceDRIVER™ 1EDN7511B. Diese Tochterboards verfügen zudem über einen zweikanaligen, isolierten Gate-Treiber-IC mit potentialfreien Ausgängen (EiceDRIVER™ 2EDB7259Y).