onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs
onsemi NXH011F120M3F2 EliteSiC-SiC-MOSFET- Module sind mit einer SiC-M3S-MOSFET-Vollbrückenkonfiguration von 11 mΩ/1.200 V ausgestattet. Die Module integrieren einen Thermistor und einen HPS-DBC in einem F2-Gehäuse und ermöglichen so kompakte Leistungswandlungsdesigns mit hohem Wirkungsgrad. Das NXH011F120M3F2 von onsemi bietet zwei Arten von vorab angebrachtem Wärmeableitungsmaterial sowie eine Ausführung ohne vorab angebrachtes TIM. Die Module verfügen außerdem über Press-Fit-Pins, sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform für die Integration von Leistungsmodulen.
Die Module eignen sich hervorragend für Solarwechselrichter, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Leistungsapplikationen. Durch die Vollbrückentopologie, die SiC-MOSFET- Nennleistung von 1.200 V, die Thermistoranschlüsse und die Unterstützung des Kelvin-Quellenpins ist das NXH011F120M3F2 eine ideale Option für anspruchsvolle Leistungselektronik-Plattformen.
Merkmale
- M3S-SiC-MOSFET-Vollbrücken-Leistungsmodul von 11 mΩ/1.200 V
- Integrierter Thermistor für die Temperaturüberwachung
- HPS-DBC-Bauweise für Leistungsmoduldesigns
- Press-Fit-Pins für die Modulverbindung
- Optionen mit zwei Arten von vorab angebrachtem Wärmeableitungsmaterial sowie eine Ausführung ohne vorab angebrachtes TIM
- Bleifreie, halogenfreie und RoHS-konforme Bauweise
Applikationen
- Solar-Umrichter
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
- Ladestationen für Elektrofahrzeuge
- Industrielle Leistung
Technische Daten
- Dauersenkenstrom von 105 A bei TC = 80 °C und TJ = 175 °C
- Gepulster Drainstrom von 316 A bei TJ = 175 °C
- Maximaler Leistungsverlust von 244 W bei TJ = 175 °C
- Lagertemperaturbereich von -40 °C bis +150 °C
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +175 °C
- Gehäuse
- F2-Gehäuse
- PIM34-Bauweise mit Press-Fit-Bauweise
- Gehäusegröße von 56,7 mm x 42,5 mm
- Drain-Source-Spannung von 1200 V
- Gate-Source-Spannungsbereich von +22 V bis –10 V
- Pin-Funktionen
- TH1- und TH2-Thermistoranschlüsse
- AC1- und AC2-Zentralpunkte der Vollbrücke
- Positive DC+-Busverbindung und negative DC--Busverbindungen
- Gate- und Kelvin-Quellenanschlüsse für High-Side- und Low-Side-Schalter
Testplatine
onsemi EVBUM2878G-EVB Evaluierungsboard
Zur Evaluierung der M3S-Vollbrücken-4-PACK-Module im F2-Gehäuse von 1.200 V ausgelegt.
Schaltbild
Veröffentlichungsdatum: 2026-07-29
| Aktualisiert: 2026-08-25