onsemi NXH270A120M3F5SHG 3-Level-ANPC-Wechselrichtermodul
Das 3-Level-ANPC-Wechselrichter-Module NXH270A120M3F5SHG von onsemi ist ein Leistungsmodul im F5BP-Gehäuse mit einer A-Typ-Neutral-Point-Clamped-3-Level-WechselrichterTopologie. Das Modul integriert 1200-V-SiC-MOSFETs, 1200-V-Field-Stop-7-IGBTs und schnelle Erholungsdioden zur Unterstützung hocheffizienter Leistungswandlungsdesigns. Das Modul ist so konzipiert, dass es Leitungs- und Schaltverluste reduziert und gleichzeitig eine höhere Leistung und eine verbesserte Zuverlässigkeit unterstützt. Das NXH270A120M3F5SHG verfügt außerdem über ein Layout mit niedriger Induktivität, Löt-Pins und einen integrierten NTC-Thermistor zur Temperaturüberwachung in anspruchsvollen Wechselrichtersystemen.
Das 3-Level-ANPC-Wechselrichtermodul ist ideal für Energiespeichersysteme und Solarwechselrichter, die eine kompakte, leistungsstarke 3-Level-APNC-Architektur benötigen. Das Bauteil verfügt über eine bleifreie, halogenfreie und RoHS-konforme Bauweise und unterstützt den Schaltbetrieb über einen Betriebstemperaturbereich von –40 °C bis +175 °C.
Merkmale
- A-Typ-Neutral-Point-Clamped-3-Level-Wechselrichtermodul
- Integrierte 1200-V-SiC-MOSFETs für effizientes Leistungsschalten
- Integrierte 1200-V-Field-Stop-7-IGBTs und Dioden mit schneller Erholungszeit
- Induktionsarmes Layout für Hochleistungs-Wechselrichter-Designs
- Lötpinanschlüsse für die Modulintegration
- Integrierter NTC-Thermistor zur Temperaturüberwachung
- Geringere Leitungs- und Schaltverluste für einen verbesserten Wirkungsgrad
- Bleifreie, halogenfreie und RoHS-konforme Bauteilkonstruktion
Applikationen
- Energiespeichersystem
- Umrichter für Solaranlagen
Technische Daten
- Modulgehäuse
- PIM-60-Gehäuse
- Gehäusegröße von 112,00 mm x 62,00 mm x 12,00 mm
- Betriebstemperaturbereich unter Schaltbedingungen von – 40 °C bis +175 °C
- Kriech- und Luftstrecke
- Kriechstrecke von Anschlussklemme zu Kühlkörper von 17,4 mm
- Kriechstrecke zwischen den Anschlüssen von 7,0 mm
- Luftstrecke von Anschlussklemme zu Kühlkörper: 15,6 mm
- Luftstrecke zwischen den Anschlüssen von 6,0 mm
- Nennspannungen für SiC-MOSFET
- Drain-Source-Spannung von 1200 V
- Gate-Source-Spannungsbereich von +22 V bis –10 V
- Empfohlener Gate-Source-Spannungsbereich von +18 V bis –3 V bis –5 V
- Dauersenkenstrom von 463 A bei TC = 80 °C und TVJ = 175 °C
- Gepulster Spitzen-Drainstrom von 1200 A bei TC = 80 °C und TVJ = 175 °C und einer Pulsbreite von 1 ms
- Verlustleistung von 826 W bei TVJ = 175 °C und TC = 80 °C
- Vergleichender Kriechstromindex von 600
- Lagertemperaturbereich von –40 °C bis +125 °C
- Isolationsprüfspannung von 4000 VRMS für 60 s bei 50 Hz
- Streuinduktivität von 10 nH
- M5-Schraubanschlussverbindung, Drehmomentbereich von 3 Nm bis 5 Nm
- Modulgewicht von 260 g
- IGBT-Bewertungen
- Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V
- Dauerkollektorstrom von 299 A bei TC = 80 °C und TVJ = 175 °C
- Impulsgipfelkollektorstrom von 800 A bei TC = 80 °C und TVJ = 175 °C mit einer Pulsbreite von 1 ms
- Verlustleistung von 742 W bei TVJ = 175 °C und TC = 80 °C
- Dioden-Nennwerte
- Wiederkehrende Spitzensperrspannung von 1200 V
- Dauerdurchlassstrom von 260 A bei TC = 80 °C und TVJ = 175 °C
- Wiederholter Durchlassstrom von 800 A bei TVJ = 175 °C mit einer Pulsbreite von 1 ms
Schaltschema
GEHÄUSEABMESSUNGEN
Veröffentlichungsdatum: 2026-07-13
| Aktualisiert: 2026-07-17