ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC-Wandler
Der DC/DC-Wandler BD9B306ANF-Z von ROHM Semiconductor ist ein synchroner einzelner DC/DC-Abwärtswandler mit integrierten Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Durchlasswiderstand. Dieser Wandler liefert bis zu 3 A Strom und bietet eine Ausgangsspannung mit hoher Genauigkeit aufgrund seiner ±1 % Referenzspannung. Der DC/DC-Wandler BD9B306ANF-Z verfügt über ein schnelles Einschwingverhalten aufgrund eines konstanten Einwirkzeit-Steuerungssystems. Dieser Wandler unterstützt die Steuerung im Leichtlastmodus, um den Wirkungsgrad unter Leichtlastbedingungen zu verbessern, und die Power Good-Funktion ermöglicht es dem System, die Abfolge zu steuern. Der DC/DC-Wandler BD9B306ANF-Z erreicht eine Hochleistungsdichte und bietet eine geringe Grundfläche auf der PCB durch die Verwendung eines 6-poligen 1,5 mm x 1,5 mm kleinen Gehäuses. Typische Applikationen sind Drucker, Bürogeräte, Speichergeräte, Videoüberwachung, verteilte Stromversorgung und sekundäre Stromversorgung.Merkmale
- Einzelner synchroner Abwärtswandler (DC/DC-Wandler)
- Konstante On-Time-Steuerung
- Steuerung im Leichtlastmodus
- Genauigkeit der Referenzspannung ±1 %
- 100 % Lastzyklus
- Leistungsfreigabe am Ausgang
- Ausgangsentladefunktion
- Überspannungsschutz (OVP)
- Überstromschutz (OCP)
- Kurzschluss-Sicherung (SCP)
- Übertemperaturschutz (TSD)
- Unterspannungsschutz (UVLO)
- RoHS-konform
Applikationen
- Drucker und Büroausstattung
- Laptop-PC/Tablet-PC/Server
- Speichermedium (HDD/SSD)
- Abwärtswandler für SoC, FPGA und Mikroprozessor
- Videoüberwachung
- Verteilte Stromversorgung
- Sekundäre Stromversorgung
Technische Daten
- 2,7 V bis 5,5 V Eingangsspannungsbereich
- Ausgangsspannungsbereich von 0,6 V bis 4 V
- Ausgangsstrom von 3 A (maximal)
- 2,2 MHz (typische) Schaltfrequenz
- High-Side-FET-Einschaltwiderstand: 25 mΩ (typisch)
- 25 mΩ (typisch) Low-Side-FET-ON-Widerstand
- 0 μA (typisch) im Ausschaltezustand
- 4 μA (typisch) Ruhestrom bei keiner Last
Typische Applikations-Schaltung
Blockdiagramm
Abmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2026-07-07
| Aktualisiert: 2026-08-20
