Texas Instruments DRV8762-Q1 H-Brücken-Gate-Treiber
Der H-Brücken-Gate-Treiber DRV8762-Q1 von Texas Instruments ist ein integrierter Smart-Gate-Treiber für 48-V-H-Brücken-Applikationen im Fahrzeugbereich. Das Bauteil verfügt über zwei Halbbrücken-Gate-Treiber, die jeweils High-Side- und Low-Side-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeugmotorsteuerungssysteme ansteuern können.
Der Treiber DRV8762-Q1 nutzt eine externe 12-V-Versorgung und eine integrierte Bootstrap-Diode, um die richtigen High-Side-Gate-Ansteuerspannungen zu erzeugen. Der H-Brücken-Gate-Treiber DRV8762-Q1 von TI verfügt über eine Smart-Gate-Drive-Architektur, einen konfigurierbaren Spitzen-Gate-Treiberstrom und eine automatische Deadtime-Einfügung im geschlossenen Regelkreis. Darüber hinaus verfügt das Bauteil über eine Erhaltungsladungspumpe, die eine PWM-Steuerung mit einer Arbeitszyklusrate von 100 % sowie eine Overdrive-Gate-Ansteuerspannung für externe Schalter unterstützt.
Der Gate-Treiber eignet sich ideal für 48-V-Applikationen zur Motorsteuerung im Fahrzeugbereich, für Karosseriemotoren, Getriebeaktuatoren und BDC-Motoren im Fahrzeugbereich. Integrierte Low-Side-Strommessverstärker, SPI-basierte Diagnosefunktionen, Schutzfunktionen und konfigurierbare Geräteverhalten tragen dazu bei, robuste Motorantriebssysteme mit weniger externen Bauteilen zu realisieren.
Merkmale
- DRV8762-Q1 – AEC-Q100-Prüfleitfaden für Fahrzeuganwendungen mit einer Umgebungstemperatur des Bauteils von -40 °C bis +125 °C
- H-Brücken-Gate-Treiber zum Ansteuern von vier N-Kanal-MOSFETs
- Breiter Betriebsspannungsbereich: 8 V – 85 V
- Bootstrap-Architektur für den Betrieb von High-Side-Gate-Treibern
- Durchschnittlicher Gate-Schaltstrom von 50 mA zum Ansteuern von 400 nC-MOSFETs bei 20 kHz
- Erhaltungsladepumpe zur Unterstützung einer PWM-Arbeitszyklusrate von 100 % sowie externer Trenn- oder Verpolungsschutzschaltungen
- Smart-Gate-Drive-Architektur
- In 8 Stufen konfigurierbarer Spitzen-Gate-Ansteuerstrom von bis zu 224 mA (Source) und 448 mA (Sink)
- Automatische Einfügung einer Totzeit im geschlossenen Regelkreis auf der Grundlage der Überwachung der Gate-Source-Spannung
- Konfigurierbare sanfte Abschaltung zur Minimierung induktiver Spannungsspitzen bei einer Überstromabschaltung
- Low-Side-Strommessverstärker
- Geringer Eingangs-Offset von 1 mV über den gesamten Temperaturbereich
- 4-stufige Verstärkungsregelung
- Einstellbare Ausgangsvorspannung für unidirektionale oder bidirektionale Erfassung
- Detaillierte Konfiguration und Diagnose auf SPI-Basis
- Spezieller ASCIN-Pin für die Motorbremssteuerung mit aktivem Kurzschluss
- Schutzfunktionen
- Überwachung von Batterie- und Netzteilspannung
- MOSFET-VDS und -Rsense-Überstromüberwachung
- MOSFET-VGS-Gate-Fehlerüberwachung
- Thermische Warnung und Abschaltung des Geräts
- Pin der Anzeige von Störungszuständen
Applikationen
- Applikationen zur Steuerung von 48-V-Fahrzeugmotoren
- Fahrzeugkarosseriemotoren
- Getriebeaktuatoren
- BDC-Motoren für Fahrzeuge
Technische Daten
- Eine vollständige Brücke
- Steuermodi
- Unabhängige Halbbrücke
- PWM
- Topologie
- Externer FET
- Mehrkanal-
- Ruhestrom von 4,5 µA
- Unterstützung von 3,3 V und 5 V als Logik-Eingangsspannung
- DRVOFF-Pin zur unabhängigen Deaktivierung des Treibers
- Hochspannungs-nSLEEP-Weckpin
- 4x- und 2x-PWM-Modi
- Gehäuse
- 48-poliges QFN-Gehäuse
- Gehäusegröße: 7 mm x 7 mm
Vereinfachtes Schaltschema
