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Vishay Semiconductors Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

Vishay Semiconductors Leistungs-Siliziumkarbid (SiC) Schottky Dioden sind fortschrittliche, hochleistungsfähige Gleichrichter, die für außergewöhnliche Effizienz, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen entwickelt wurden. Auf Basis von Wide-Bandgap SiC Technologie bieten diese Vishay Dioden praktisch keine Rückwärts-Erholung elektrische Ladung extrem schnelles Schalten Fähigkeit und Temperaturinvarianz Betriebsverhalten wodurch Bauteile sich ideal für HighFrequenz Leistungsumwandlung Systeme der nächsten Generation eignen.

Diese Geräte unterstützen hohe Sperrschichttemperaturen von bis zu +175 °C und gewährleisten einen stabilen Betrieb in rauen thermischen Umgebungen, wie sie in Industrie-, Automobil- und erneuerbaren Energiesystemen vorherrschen. Der positive Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung ermöglicht eine einfache Parallelschaltung und verbessert somit die Skalierbarkeit und den Wärmeausgleich in Hochstrom-Designs.

Die auf Langlebigkeit ausgelegten SiC-Schottky-Dioden von Vishay zeichnen sich durch einen geringen Leckstrom, eine hohe Stoßstromfestigkeit und extrem geringe Schalt- und Leitungsverluste aus. Diese Eigenschaften maximieren die Effizienz in AC/DC PFC-Stufen, Hochfrequenz-Gleichrichtern, LLC-Resonanz-Wandlern, DC/DC-Wandlern, USV-Systemen, Telekommunikationsinfrastrukturen, Server-Netzteilen und Solar-Wechselrichterplattformen.

Diese Dioden sind in einer großen Auswahl von Nennströmen (von 4 A bis 200 A) und Sperrspannungsfestigkeiten von bis zu 650 V erhältlich. Sie bieten Flexibilität für verschiedene Leistungsstufen. D2PAK 2L (TO-263AB 2L) Gehäuse ermöglicht die nahtlose Integration in Designs mit kleinem Formfaktor oder in industrielle Baugruppen mit hoher Leistung.

Bei der gesamten Produktfamilie legt Vishay Wert auf langfristige Zuverlässigkeit und bietet AEC-Q101-qualifizierte Varianten, eine RoHS-konforme Bauweise, halogenfreie Materialien und UL-zugelassene Moduloptionen an. Diese Eigenschaften machen die Dioden für unternehmenskritische Applikationen gut geeignet, die eine lange Lebensdauer, thermische Stabilität und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.

Merkmale

  • Positiver VF Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung
  • Praktisch kein Recovery-Ende und keine Schaltverluste
  • Temperaturinvariantes Schaltverhalten
  • Einzelschaltung-Konfiguration
  • Geringer Ableitstrom
  • Robust, hohes Ableitvermögen
  • Niedrige Sperrschichtkapazität
  • Schnelle, stabile Sperrverzögerung
  • +175 °C maximale Sperrschicht-Betriebstemperatur
  • Er ist AEC-Q101-qualifiziert und erfüllt die JESD201-Klasse-2-Whisker-Prüfung (P/NHM3).
  • Erfüllt JESD 201 Klasse 1 A Whisker-Test (nicht für Kraftfahrzeuge)
  • Die Feuchteempfindlichkeit (MSL) entspricht 1 gemäß J-STD-020, die maximale Spitze von LF beträgt +245 °C.
  • D2PAK 2L (TO-263AB 2L) Gehäuse
  • Bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform

Applikationen

  • Schaltungen zur Blindleistungskompensation (PFC)
  • Hochfrequenz-Gleichrichtung
  • LLC-Resonanz-Wandler
  • DC/DC-Wandler
  • Solar-Wechselrichter-Systeme
  • Systeme für unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)
  • Stromversorgungsausrüstung für Telekommunikation
  • Stromversorgung für Server
  • Applikationen die vom ultraschnellen Erholungsverhalten von Silizium betroffen sind

Technische Daten

  • Optionen für Sperrspannung von 650 V oder 1.200 V
  • 35 µA bis 550 µA Rückstrom Bereich
  • Bereich für Durchlassspannung von 1,3 V bis 1,36 V
  • 39A bis 180A Vorwärts-Stoßstrom Bereich
  • Durchlassstrombereich von 6 A bis 30 A
  • Verlustleistungsbereich von 59 W bis 375 W
  • -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
  • Matt verzinnte Anschlüsse, lötbar gemäß J-STD-002 und JESD 22-B102

Schaltschema

Schaltplan - Vishay Semiconductors Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang
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Teilnummer Datenblatt If - Durchlassstrom Ir - Sperrstrom Pd - Verlustleistung Vf - Durchlassspannung Vr - Sperrspannung
VS-4C20ET07S2L-M3 VS-4C20ET07S2L-M3 Datenblatt 20 A 110 uA 125 W 1.33 V 650 V
VS-4C06ET07S2L-M3 VS-4C06ET07S2L-M3 Datenblatt 6 A 35 uA 59 W 1.3 V 650 V
VS-4C20CP07L-M3 VS-4C20CP07L-M3 Datenblatt 10 A 50 uA 101 W 1.3 V 650 V
VS-4C06ET07S2LHM3 VS-4C06ET07S2LHM3 Datenblatt 6 A 35 uA 59 W 1.3 V 650 V
VS-4C20CP07LHM3 VS-4C20CP07LHM3 Datenblatt 10 A 50 uA 101 W 1.3 V 650 V
VS-4C20ET07S2LHM3 VS-4C20ET07S2LHM3 Datenblatt 20 A 110 uA 125 W 1.33 V 650 V
VS-4C20ET07T-M3 VS-4C20ET07T-M3 Datenblatt 20 A 110 uA 125 W 1.33 V 650 V
VS-4C20ET07THM3 VS-4C20ET07THM3 Datenblatt 20 A 110 uA 125 W 1.33 V 650 V
VS-4C30E3P07L-M3 VS-4C30E3P07L-M3 Datenblatt 30 A 125 uA 273 W 1,33 V 650 V
VS-4C30ET07S2L-M3 VS-4C30ET07S2L-M3 Datenblatt 30 A 125 uA 167 W 1.33 V 650 V
Veröffentlichungsdatum: 2026-01-30 | Aktualisiert: 2026-05-12