MSC025SMA120B

Microchip Technology
494-MSC025SMA120B
MSC025SMA120B

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
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Datenblatt:
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Microchip
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
113 A
31 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.9 V
232 nC
- 55 C
+ 175 C
577 W
Enhancement
Marke: Microchip Technology
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 25 ns
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 15 ns
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 38 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 63 ns
Gewicht pro Stück: 6 g
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs von Microchip Technology  bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium (Si)-Leistungs-MOSFETs.  Diese MOSFETs haben geringe Kapazitäten, niedrige Gate-Ladung, hohe Schaltgeschwindigkeit und hohe Avalanche-Robustheit Die SiC-MOSFETs können den Betrieb bei einer hohen Sperrschichttemperatur von 175°C stabilisieren. Diese MOSFETs bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringen Schaltverlusten. Die SiC-MOSFETs benötigen keine Freilaufdioden. Typische Applikationen sind intelligente Stromnetzübertragung und -verteilung, Induktionserwärmung und -schweißen sowie Energieversorgung und -verteilung.

Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter

Microchip Technology Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter sind eine innovative Option für Leistungselektronik-Designer, welche den Systemwirkungsgrad verbessern, einen kleineren Formfaktor und höhere Betriebstemperaturen in Produkten im Bereich der Industrie, Medizintechnik, Militär-/Luft- und Raumfahrt, Luftverkehr und im Kommunikationsmarkt erzielen möchten. Die SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) der nächsten Generation von Microchip Technology wurden mit einer hohen repetitiven UIS-Fähigkeit (Unclamped Inductive Switching) entwickelt. Die SiC-MOSFETs können eine hohe UIS-Fähigkeit bei etwa 10 J/cm2 bis 15 J/cm2 bis 15 J/cm2 und einen robusten Kurzschlussschutz bei 3 ms bis 5 ms aufrechterhalten. Die SiC-SBDs von Microchip Technology sind für einen niedrigen Schaltverlust mit einem symmetrischen Stoßstrom, einer Durchlassspannung, einem thermischen Widerstand und thermischen Kapazitätswerten bei niedrigem Sperrstrom ausgelegt. Darüber hinaus können der SiC-MOSFET und die SiC-SBD für den Einsatz in Modulen gepaart werden.

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CHF 25.15 CHF 3’018.00

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