SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics
511-SCT027W65G3-4AG
SCT027W65G3-4AG

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
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Datenblatt:
ECAD Model:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-4
1 Channel
650 V
60 A
29 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
51 nC
- 55 C
+ 200 C
313 W
Enhancement
AEC-Q100
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 17 ns
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 8 ns
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 31 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 17 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.

Auf Lager: 246

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Lieferzeit ab Hersteller:
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Minimum: 1   Vielfache: 1
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CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 11.38 CHF 11.38
CHF 7.62 CHF 76.20
CHF 7.07 CHF 707.00
CHF 6.01 CHF 3’606.00

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