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STPSC10C065RY

STMicroelectronics

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STPSC10C065RY

Herst.- Nr.:

STPSC10C065RY

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden Automotive 650 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

STPSC10C065RY Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	I2PAK-3
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	10 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.56 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	85 A
Ir - Sperrstrom:	9 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Vr - Sperrspannung:	650 V
Serie:	STPSC10C065-Y
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück:	1.500 g

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Datenblatt

STPSC10C065RY Datenblatt (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification (PDF)

PCN

Konformitätscodes

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

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EMPFOHLENE PRODUKTE

STMICROELECTRONICS

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

Superior physical characteristics over standard silicon, with 15% less forward voltage.

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

Ultrahigh performance power schottky diode manufactured using a silicon carbide substrate.

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