Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

CSD16301Q2

Name: Texas Instruments CSD16301Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16301Q2
Price: 0.64 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD16301Q2

Herst.- Nr.:

CSD16301Q2

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET

Datenblatt:

CSD16301Q2 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Texas Instruments CSD16301Q2

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	24 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	900 mV
Qg - Gate-Ladung:	2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	15 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	1.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.4 ns
Serie:	CSD16301Q2
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	4.1 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2.7 ns
Gewicht pro Stück:	8.700 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

NexFET™ Power MOSFET: CSD16301Q2

The Texas Instruments CSD16301Q2 N-Channel NexFET™ Power MOSFET minimizes losses in power conversion and load management applications. The TI CSD16301Q2 NexFET MOSFET comes in a SON 2-mm x 2-mm plastic package that offers excellemt thermal performance for its size. The TI CSD16301Q2 provides ultralow Qg and Qgd and is ideal for DC-DC converters and battery and load management applications.

EMPFOHLENE PRODUKTE

TEXAS INSTRUMENTS

2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.

Mehr erfahren

CSD16321Q5 n-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFET

Ein 25-V-SON-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit 1,9 mΩ von 5 mm × 6 mm, der zur Reduzierung von Verlusten ausgelegt ist.

Mehr erfahren

CSD25402Q3A NexFET™ Leistungs-MOSFET

Zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungs-Lastmanagement-Applikationen ausgelegt.

Mehr erfahren

CSD25310Q2 20V p-Kanal-Leistungs-MOSFET

Entwickelt, um den niedrigsten On-Widerstand und die niedrigste Gate-Ladung zu liefern.

Mehr erfahren

CSD86356Q5D NexFET-Power-Block-Synchron-Abwärtswandler

Bieten hohen Strom, hohen Wirkungsgrad und Hochfrequenzleistungen in einem kleinen Gehäuse.

Mehr erfahren

Auf Lager: 935

Lagerbestand:: 935

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 90’000

erwartet ab 23.10.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 16

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.644	CHF 0.64
	CHF 0.292	CHF 2.92
	CHF 0.228	CHF 114.00
	CHF 0.192	CHF 192.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.151	CHF 453.00
	CHF 0.147	CHF 882.00
	CHF 0.132	CHF 1’188.00
	CHF 0.124	CHF 2’976.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

CSD16301Q2

Herst.: Texas Instruments

Beschreibung: MOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET

Technische Daten

Dokumente (9)

Datenblatt

Application Notes

Images

Models

PCN

Product Catalogs

SPICE Models

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

NexFET™ Power MOSFET: CSD16301Q2

Andere Kunden kauften auch

EMPFOHLENE PRODUKTE TEXAS INSTRUMENTS

Auf Lager: 935

Preis (CHF)

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET

EMPFOHLENE PRODUKTE

TEXAS INSTRUMENTS