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NVMFS4C303NET1G

Name: onsemi NVMFS4C303NET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C303NET1G
Price: 1.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMFS4C303NET1G

Herst.- Nr.:

NVMFS4C303NET1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFS4C303NET1G Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1500

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Datenblatt

NVMFS4C303NET1G Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

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NVMFS4C303NET1G

Herst.: onsemi

Beschreibung: MOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

Technische Daten

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Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

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