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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
Transistoren
MOSFETs
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Handelsname
Verpackung
SMD/SMT
Through Hole
Zurücksetzen
HDSOP-16
TDSON-8
TFN-10
TO-220-3
TSON-8
TTFN-9
WHSON-8
WHTFN-9
Zurücksetzen
1 Channel
2 Channel
Zurücksetzen
80 V
100 V
≤
≥
Zurücksetzen
13 A
16 A
44 A
85 A
99 A
101 A
120 A
139 A
198 A
248 A
273 A
290 A
323 A
333 A
365 A
408 A
≤
≥
Zurücksetzen
1.1 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.57 mOhms
2 mOhms
2.05 mOhms
2.3 mOhms
2.55 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
3.4 mOhms
4 mOhms
4.6 mOhms
5 mOhms
6.5 mOhms
8.3 mOhms
1.9 Ohms
≤
≥
Zurücksetzen
2.3 V
3.8 V
3.9 V
4.1 V
≤
≥
Zurücksetzen
30 nC
34 nC
35 nC
38 nC
43 nC
44 nC
52 nC
69 nC
89 nC
94 nC
99 nC
106 nC
107 nC
133 nC
158 nC
168 nC
178 nC
211 nC
223 nC
≤
≥
Zurücksetzen
+ 150 C
+ 175 C
≤
≥
Zurücksetzen
2.5 W
3.8 W
36 W
100 W
167 W
214 W
217 W
278 W
300 W
313 W
333 W
375 W
≤
≥
Zurücksetzen
OptiMOS
Zurücksetzen
Cut Tape
MouseReel
Reel
Tube
Zurücksetzen
Alle zurücksetzen
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Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
MOSFETs IFX FET > 60-80V
Infineon Technologies IPP023N08N5XKSA1
IPP023N08N5XKSA1
Infineon Technologies
1:
CHF 4.91
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Herst. Teilenr.
IPP023N08N5XKSA1
Mouser-Teilenr.
726-IPP023N08N5XKSA1
Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
Mehr erfahren
über Infineon Technologies infineon optimos 5
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
1
CHF 4.91
10
CHF 2.57
100
CHF 2.35
500
CHF 1.94
1’000
CHF 1.88
Kaufen
Min.:
1
Mult.:
1
Details
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
133 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Tube
MOSFETs IFX FET > 60-80V
Infineon Technologies IPP027N08N5XKSA1
IPP027N08N5XKSA1
Infineon Technologies
500:
CHF 1.35
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Herst. Teilenr.
IPP027N08N5XKSA1
Mouser-Teilenr.
726-IPP027N08N5XKSA1
Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
Mehr erfahren
über Infineon Technologies infineon optimos 5
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
500
CHF 1.35
1’000
CHF 1.34
2’500
CHF 1.29
5’000
CHF 1.25
Kaufen
Min.:
500
Mult.:
500
Details
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
99 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Tube
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