QPD0020TR7

Qorvo
772-QPD0020TR7
QPD0020TR7

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

ECAD Model:
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Qorvo
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-20
Marke: Qorvo
Konfiguration: Single
Entwicklungs-Kit: QPD0020EVB02
Verstärkung: 16.7 dB
Maximale Betriebsfrequenz: 2.69 GHz
Mindestbetriebsfrequenz: 2.62 GHz
Ausgangsleistung: 34.7 W
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt-Typ: GaN FETs
Serie: QPD0020
Verpackung ab Werk: 500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: HEMT
Artikel # Aliases: QPD0020
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Konformitätscodes
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Vereinigte Staaten
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

QPD0020 GaN-HF-Leistungstransistoren

Qorvo QPD0020 GaN-HF-Leistungstransistoren sind ein unangepasster diskreter GaN-auf-SiC-HEMT von 35 W, der von DC bis 6 GHz auf einer +48-V-Versorgungsschiene betrieben wird. Die Bauteile eignen sich hervorragend für Basisstationen, Radar- und Kommunikationsapplikationen. Die Transistoren unterstützen CW- und gepulste Betriebsmodi. Der QPD0020 kann in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstations-Leistungsverstärkers für Kleinzellen-, Mikrozellen- und aktive Antennensysteme verwendet werden. Der QPD0020 kann auch als Treiber in einem Makrozellen-Basisstations-Leistungsverstärker verwendet werden.

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