NTTFS012N10MDTAG

onsemi
863-NTTFS012N10MDTAG
NTTFS012N10MDTAG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
WDFN-8
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: NTTFS012N10MD
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PowerTrench Technologie

Die onsemi  PowerTrench Technologie stellt die  Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.

NTTFS012N10MD N-Kanal-MOSFET

OnsemiDer onsemi NTTFS012N10MD n-Kanal-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen PowerTrench® -Verfahren hergestellt, das die abgeschirmte Gate-Technologie umfasst. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Einschaltwiderstand RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten zu minimieren und gleichzeitig eine überragende Schaltleistung aufrechtzuerhalten. Der NTTFS012N10MD MOSFET verfügt über einen niedrigen QG und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten, einen niedrigen QRR, eine Soft-Recovery-Bodydiode und einen niedrigen Q OSS zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei geringer Last. Zu den typischen Applikationen gehören Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, AC/DC-Adapter, Synchrongleichrichtung in DC/DC und AC/DC, BLDC-Motoren, Lastschalter und Solarwechselrichter.

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