MRF1K50NR5

NXP Semiconductors
841-MRF1K50NR5
MRF1K50NR5

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET HF-Transistoren Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
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ECAD Model:
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NXP
Produktkategorie: MOSFET HF-Transistoren
RoHS:  
N-Channel
Si
36 A
133 V
1.8 MHz to 500 MHz
23 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230-4
Reel
Cut Tape
Marke: NXP Semiconductors
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 33.5 S
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Anzahl der Kanäle: 2 Channel
Pd - Verlustleistung: 2.941 kW
Produkt-Typ: RF MOSFET Transistors
Serie: MRF1K50N
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: MOSFETs
Typ: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung: + 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2.7 V
Artikel # Aliases: 935318822578
Gewicht pro Stück: 5.281 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Vereinigte Staaten
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MRF1K50N 1500W HF-Leistungstransistor

Die NXP MRF1K50H 1500W-HF-Leistungs-Transistoren kombinieren hohe HF-Ausgangsleistung, überlegene Robustheit und thermische Leistung. Diese LDMOS-Geräte verfügen über umspritzte Kunststoffgehäuse, die gegenüber dem keramischen MRF1K50H einen um bis zu 30% niedrigeren Wärmewiderstand bieten. Die Kunststoffverpackungstechnologie von NXP hilft mehr Leistung von den HF-Transistoren zu extrahieren, während die Herstellbarkeit der Verstärker durch engere Maßtoleranzen und bessere Lötverbindungen vereinfacht wird.

Die NXP MRF1K50N und MRF1K50GNR5 HF-Leistungstransistoren wurden entwickelt, um 1,50kW CW bei 50V zu liefern und die Zahl der Transistoren in den Hochleistungs-HF-Verstärkern zu verringern. Das Eingangs- und Ausgangsdesign dieser Geräte ermöglicht einen breiten Frequenzbereich von 1,8 bis 500 MHz.
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