NCV51561BBDWR2G

onsemi
863-NCV51561BBDWR2G
NCV51561BBDWR2G

Herst.:

Beschreibung:
Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Automotive Gate Driver Automotive

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:  
NCV51561
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
58 ns
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Anzahl der Treiber: 2 Driver
Anzahl der Ausgänge: 2 Output
Produkt: MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ: Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.: 5 V
Versorgungsspannung - Min.: 3 V
Technologie: SiC
Typ: High-Side, Low-Side
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
Japan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NCV51561 Isolierter Zweikanal-Gate-Treiber

Der onsemi NCV51561 isolierte Zweikanal-Gate-Treiber verfügt über einen Quellen-Spitzenstrom von 4,5 A und einen Senken-Spitzenstrom von 9 A mit kurzen und angepassten Laufzeitverzögerungen. Der NCV51561 ist für ein schnelles Schalten zum Antrieb von Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFET-Leistungsschaltern ausgelegt.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

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