SQSA12CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQSA12CENW-T1_GE3
SQSA12CENW-T1_GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

ECAD Model:
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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8W
N-Channel
1 Channel
100 V
18 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
62.5 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay / Siliconix
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 47 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4 ns
Serie: SQS
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SQSA12CENW 100-V-Automotive-n-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SQSA12CENW 100-V-Automotive-n-Kanal-MOSFET ist ein AEC-Q101-qualifizierter TrenchFET®-Leistungs-MOSFET. Der SQSA12CENW MOSFET verfügt über einen 18-A-ID-, 100-V-VDS- und 0,022-Ω-RDS(on). Der SQSA12CENW 100-V-n-Kanal-Automotive-MOSFET von Vishay/Siliconix ist in einem einzelnen PowerPAK® 1212-8W-Gehäuse verfügbar und für einen Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von 55 °C bis +175 °C ausgelegt.

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