Fortschrittliche IGBT-/SiC-Gate-Treiber GD3162

Die fortschrittlichen IGBT-/SiC-Gate-Treiber GD3162 von NXP Semiconductors sind für den Antrieb von SiC- und IGBT-Modulen in xEV-Traktionswechselrichtern ausgelegt. Die GD3162-Treiber von NXP Semiconductors ermöglichen Platzeinsparungen und Leistung durch einen erweiterten Gate-Drive-Funktionsumfang. Das Bauteil enthält eine integrierte galvanische Trennung, eine programmierbare SPI-Schnittstelle und erweiterte Schutzfunktionen wie Übertemperatur-, Entsättigungs- und Strommessschutz. Mit der integrierten Boost-Funktion kann der GD3162 die meisten SiC-MOSFET- und IGBT-/SiC-Modul-Gates direkt ansteuern.

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Menge RoHS ECAD Model Serie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Isolierungsspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Verpackung
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
1’882Auf Lager
CHF 8.60
CHF 6.72
CHF 6.24
CHF 5.63
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
820Auf Lager
528Auf Bestellung
CHF 9.43
CHF 7.38
CHF 6.87
CHF 6.49
CHF 5.95
Min.: 1
Mult.: 1
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Cut-Tape
CHF 8.53
CHF 6.65
CHF 6.19
CHF 5.68
Anzeigen
Reel
CHF 5.26
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Cut-Tape
CHF 9.32
CHF 7.28
CHF 6.78
CHF 6.22
CHF 6.15
Reel
CHF 5.77
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Reel
CHF 5.70
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
CHF 5.69
Min.: 176
Mult.: 176
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Reel
CHF 6.24
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
CHF 6.24
Min.: 176
Mult.: 176
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray