8 Mbit BGA-48 Halbleiter

Arten von Halbleitern

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ISSI SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM 1’768Auf Lager
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ISSI SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM 536Auf Lager
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ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS 208Auf Lager
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Macronix NOR-Flash Parallel NOR 5V 8Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot 409Auf Lager
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Macronix NOR-Flash Parallel NOR 3V 8Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot 419Auf Lager
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ISSI SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v 800Auf Lager
630erwartet ab 20.08.2026
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ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 324Auf Lager
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ISSI SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 31Auf Lager
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ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 9Auf Lager
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Macronix NOR-Flash Parallel NOR 5V 8Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
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: 2’000
Macronix NOR-Flash Parallel NOR 3V 8Mbit x16 I/O BGA-48 Bottom Boot Vorlaufzeit 52 Wochen
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Macronix NOR-Flash Parallel NOR 3V 8Mbit x16 I/O BGA-48 Bottom Boot Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
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: 2’000
Macronix NOR-Flash Parallel NOR 3V 8Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
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: 2’000
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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: 2’500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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: 2’000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’500
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: 2’500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’500
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: 2’500
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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: 2’500

ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
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ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
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ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
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