8 bit 0 C Embedded Lösungen

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2’200
Mult.: 2’200

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2’420
Mult.: 2’420

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’420
Mult.: 2’420

Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’420
Mult.: 2’420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2’420
Mult.: 2’420

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’420
Mult.: 2’420

Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’420
Mult.: 2’420

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 108
Mult.: 108

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 54 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242