32 bit Cut Tape Speicher-ICs

Arten von Speicher-ICs

Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 26
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Produkt-Typ Montageart Verpackung/Gehäuse Speichergröße Schnittstellen-Typ
Micron DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP 1’946Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

DRAM SMD/SMT VFBGA-200 4 Gbit
Micron DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA 5’481Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

DRAM SMD/SMT VFBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 571Auf Lager
3’000erwartet ab 26.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
Micron MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR
Micron DRAM LPDDR3 8G 256MX32 FBGA 589Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

DRAM SMD/SMT FBGA-178 8 Gbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 35Auf Lager
1’500Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm), T&R 10Auf Lager
2’500Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
Winbond DRAM 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 2133MHz, -40C 105C, T&R 2’500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

DRAM SMD/SMT TFBGA-200 4 Gbit
Infineon Technologies NOR-Flash SEMPER 112Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5’000

NOR Flash SMD/SMT 256 Mbit SPI
Micron DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 TFBGA 196Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 100
: 2’000

DRAM SMD/SMT 8 Gbit
Alliance Memory DRAM SDRAM,64M,3.3V 166MHz,2M x 32 765Auf Lager
2’000erwartet ab 22.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
Alliance Memory AS4C4M32SA-6TINTR
Alliance Memory DRAM SDRAM,128M,3.3V 166Mhz,4M x 32 4Auf Lager
2’000erwartet ab 28.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
11’463Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
4’452Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
1’296Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
385Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
1’500erwartet ab 16.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
2’500Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 108

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2Gb, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, Industrial Temp A die, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

DRAM SMD/SMT FBGA-90 2 Gbit