onsemi NVMYS4D6N06C N-Kanal-MOSFET
Der N-Kanal-MOSFET NVMYS4D6N06C von onsemi ist ein 60-V-N-Einzelkanal-PowerTrench®-T6-MOSFET, der für kompakte und effiziente Applikationen entwickelt wurde. Das Bauteil verwendet ein LFPAK-Power-56-Gehäuse mit verbesserter thermischer Leistung für Designs, die Hochstromfähigkeit in einem kleinen Footprint benötigen. Der NVMYS4D6N06C reduziert die Leitungsverluste durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und minimiert Treiberverluste durch niedrige Gate- Ladung und -Kapazität. Der MOSFET ist nach AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig und unterstützt Fahrzeuganwendungen, die eine erhöhte Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern.
Der N-Kanal-MOSFET der Baureihe NVMYS4D6N06C von onsemi ist für Leistungsschaltapplikationen konzipiert, darunter High-Side- und Low-Side-Treiber sowie H-Brücken-Designs. Der NVMYS4D6N06C ist in einem LFPAK-4 Gehäuse erhältlich und unterstützt den Betrieb über einen Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von –55 °C bis +175 °C.
Merkmale
- N-Einzelkanal-PowerTrench-T6-MOSFET für Leistungsschaltapplikationen
- Verbesserte thermische Leistung für effiziente -Leistungsdesigns in Fahrzeugen
- Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
- Niedrige Gate-Ladung und -Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
- AEC-Q101-zugelassen und PPAP-fähig für Fahrzeuganwendungen
- Bleifreie und RoHS-konforme Bauteiloptionen
Applikationen
- Netzschalter
- High-Side-Treiber
- Low-Side-Treiber
- H-Brücken
- Fahrzeugindustrie
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung von 60 V
- Maximaler RDS(ON) von 4,7 mΩ bei VGS = 10 V
- Dauersenkenstrom von 92 A bei TC = 25 °C
- Dauersenkenstrom von 65 A bei TC = 100 °C
- Gate-Source-Spannung von ±20 V
- Typische Gesamt-Gate-Ladung von 19 nC bei VGS = 10 V
- Typische Eingangskapazität von 1.530 pF
- Typische Ausgangskapazität von 1.095 pF
- Typische Rückübertragungskapazität von 7 pF
- Einzelimpuls-Drain-Source-Avalanche-Energie von 524 mJ
- Thermischer Widerstand Sperrschicht-zu-Gehäuse von 1,89 °C/W
- Sperrschichtbetriebs- und Lagertemperaturbereich von –55 °C bis +175 °C
- Gehäuse
- LFPAK-4 Power 56-Gehäuse
- 5 mm x 6 mm Gehäusegröße
Gehäusetyp
Veröffentlichungsdatum: 2026-07-09
| Aktualisiert: 2026-07-15