Infineon Technologies 600 V CoolMOS™ S7A Leistungs-MOSFETs
Infineon Technologies 600 V CoolMOS™ S7A Leistungs-MOSFETs sind Super-Junction-MOSFETs, die für xEV-Applikationen ausgelegt sind, bei denen MOSFETs bei niedriger Frequenz geschaltet werden. Das Design dieser MOSFETs bietet einen kostenoptimierten niedrigen Einschaltwiderstand RDS(on) von 10 mΩ, der eine höhere Leistungsdichte und minimierte Leitungsverluste ermöglicht. Die S7A MOSFETs sind Fahrzeugstandard-AEC-Q101-Bauteile, die die höchste Fahrzeugqualität erfüllen. Diese MOSFETs mit QDPAK-Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite und QDPAK-Gehäuse mit Kühlung auf der Unterseite bieten einen höheren Wirkungsgrad und eine bessere Steuerbarkeit. Die 600-V-MOSFETs werden in HV eFuse, HV eDisconnect und On-Board-Ladegeräten verwendet.Merkmale
- Erstklassiger 10 mΩ RDS(on)
- Kleinster RDS(on) im SMD-Gehäuse
- Optimiert für die Leitungs-Performance
- Verbesserter thermischer Widerstand
- Hohe Impulsstrombelastbarkeit
- Bodydioden-Robustheit bei der AC-Leitungskommutierung
- Kelvin-Source-Konzept
- Reduzierte Leitungsverluste
- Erhöhte Energieeffizienz
- Kompaktere und einfachere Designs
- Größere Leistungsdichte
- Flexible Systemintegration
- Variable Kühlstrategie
- Skalierbare Technologie
Applikationen
- HV-eFuse
- HV-eDisconnect
- On-Board-Ladegerät
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2023-05-16
| Aktualisiert: 2024-11-04
