Infineon Technologies CoolMOS™ 600-V-SJ-S7-Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 600-V-SJ-S7-Leistungs-MOSFETs bieten ein ideales Preis-Leistungs-Verhältnis für Niederfrequenz-Schaltapplikationen. Die CoolMOS S7-Baureihe verfügt über einen niedrigen RDS (on) -Wert für einen HV-SJ-MOSFET mit einer Erhöhung der Energieeffizienz. Infineon CoolMOS S7-MOSFETs sind für statische Schalt- und Hochstromapplikationen optimiert. Die Module eignen sich hervorragend für Halbleiterrelais und Leistungsschalterdesigns sowie für die Leitungsgleichrichtung in SMPS- und Wechselrichter-Topologien.

Merkmale

  • CoolMOS S7-Technologie ermöglicht 22 mΩ RDS (on) in kleinem Footprint
  • Optimiertes Preis-Leistungs-Verhältnis in Niederfrequenz-Schaltapplikationen
  • Hohe Impulsstrombelastbarkeit
  • Kelvin-Quellen-Pin verbessert die Schaltleistung bei Hochstrom
  • Reduzierte Leitungsverluste (Eliminierung/Reduzierung des Kühlkörpers)
  • Erhöhte Systemperformance
  • Kompakteres und einfacheres Design
  • Niedrigere BOM oder/und TCO über eine längere Lebensdauer
  • Schnellere Schaltzeiten
  • Mehr Zuverlässigkeit und längere System-Lebensdauer
  • Stoß- und Vibrationsfestigkeit
  • Keine Lichtbogenbildung, Bouncing oder Verschlechterung über die gesamte Lebensdauer

Applikationen

  • Solid State Relais
  • Leistungsschalter
  • Computer
  • Telekommunikation
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • Solar

Weitere Ressourcen

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