Infineon Technologies CoolMOS™ SJ S7/S7T 600-V-Leistungs-MOSFETs

Die 600-V-Leistungs-MOSFETs CoolMOS™ S7/S7T von Infineon Technologies bieten ein ideales Preis-Leistungs-Verhältnis für Niederfrequenz-Schaltapplikationen. Die Baureihen S7 und S7T der Produktfamilie CoolMOS verfügen über einen niedrigen RDS (on) -Wert für einen HV-SJ-MOSFET mit einer Erhöhung der Energieeffizienz. Die MOSFETs der Baureihen S7 und S7T der Produktfamilie CoolMOS sind für statische Schalt- und Hochstrom-Applikationen optimiert. Die MOSFETs sind in einem TOLL- oder Q-DPAK-Gehäuse mit Ausführungen auf der Ober- und Unterseite verfügbar. Die MOSFETs CoolMOS SJ/S7 sind für Applikationen ausgelegt, bei denen Schaltverluste irrelevant sind. Zur Verbesserung der Genauigkeit der Sperrschichttemperaturmessung verfügen die Bauteile CoolMOS SJ/S7T über einen Temperatursensor. Die Bauteile sind für Solid-State-Lösungen, wie z. B. Solid-State-Leistungsschalter und Solid-State-Relais-Applikationen (SSR), optimiert.

Merkmale

  • 22 mΩ RDS(on) in einem kleinen Footprint
  • Optimierte Preisleistung in Niederfrequenz-Schaltapplikationen
  • Hohe Impulsstrombelastbarkeit
  • Kelvin-Quellen-Pin verbessert die Schaltleistung bei Hochstrom
  • Reduzierte Leitungsverluste (Eliminierung/Reduzierung des Kühlkörpers)
  • Erhöhte Systemperformance
  • Kompaktes, einfaches Design
  • Niedrigere BOM und/oder TCO über eine längere Lebensdauer
  • Schnellere Schaltzeiten
  • Hohe Zuverlässigkeit und lange Systemlebensdauer
  • Stoß- und Vibrationsfestigkeit
  • Keine Lichtbogenbildung, Prellung oder Verschlechterung über die gesamte Lebensdauer
  • Integrierter Temperatursensor (nur S7T)

Applikationen

  • Solid State Relais und Leistungsschalter
  • Computerbranche
  • Telekommunikation
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • Solar

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Veröffentlichungsdatum: 2020-01-17 | Aktualisiert: 2025-10-30