Infineon Technologies EiceDRIVER™ Hochspannungs-Gate-Treiber-ICs

Infineon Technologies  EiceDRIVER™ Hochspannungs-Gate-Treiber-ICs für Elektrofahrzeuge (EV) umfassen automotive-qualifizierte IGBT-Treiber-ICs und SiC-MOSFET-Treiber-ICs. Die Hochspannungs-Gate-Treiber-ICs von Infineon Technologies  EiceDRIVER™ bieten galvanische Trennung und bidirektionale Signalübertragung bei hoher Umgebungstemperatur. Die ICs ermöglichen extrem kurze Ausbreitungsverzögerungen und unterstützen IGBT- und SiC-Technologien bis zu 1.200 V. Die Bausteine verfügen über wichtige Funktionen/Parameter zur Ansteuerung von SiC-MOSFETs, wie z.B. ein verbessertes Schaltverhalten (erweiterte CMTI-Fähigkeit, schnelle Ausbreitungsverzögerung, Schaltfrequenz), einen großen ausgangsseitigen Versorgungsbereich, eine kurze interne Totzeit und eine DESAT/OCP-Schwellenwertanpassung. Fortschrittliche Überwachungs- und Schutzfunktionen erleichtern die Umsetzung der ISO 26262 Anforderungen an die funktionale Sicherheit und sorgen für einen stabilen Betrieb in rauen EMV-Umgebungen.