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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Die OptiMOS™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen von Infineon Technologies werden mit der führenden Leistungshalbleitertechnologie gefertigt. Diese MOSFETs wurden speziell für die hohe Leistung, Qualität und Robustheit entwickelt, die für anspruchsvolle Fahrzeuganwendungen erforderlich sind. Die 80-V-MOSFETs OptiMOS™ 7 arbeiten mit einer Gate-Source-Spannung von ±20 VGS und in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Diese MOSFETs werden in einem oben gekühlten SSO10T-SMD-Gehäuse mit den Abmessungen 5 × 7 mm² angeboten. Das SSO10T-Gehäuse hilft Anwendern, Verbesserungen bei der Kühlung und Leistungsdichte zu erzielen. Die 80-V-Leistungs-MOSFETs sind MSL-1-zertifiziert, RoHS-konform und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs eignen sich ideal für allgemeine Fahrzeuganwendungen.

Merkmale

  • Direkter Kühlweg zum Gehäuse des Steuergeräts (ECU-Gehäuse)
  • Praktisch kein Wärmefluss in die PCB
  • Größte freiliegende Pad-Fläche der Branche
  • Bietet die Möglichkeit zur freie Verlegung von Leiterbahnen unter dem Gehäuse
  • Bauteile können auf der Rückseite des PCB montiert werden
  • Vorlauf-Durchlasswiderstand, RDS(on)
  • Schnelle Schaltzeiten (Ein-/Ausschalten)
  • Enger Bereich der Schwellenspannung VGS(th)
  • Erweiterte Qualifizierung über AEC-Q101 hinaus
  • Verbesserte elektrische Prüfung
  • Das Gehäuse ist bei JEDEC gelistet.
  • Ermöglicht ein hervorragendes Wärmemanagement
  • 20 % bis 50 % verbesserte thermische Impedanz
  • 20 % bis 50 % verbesserter thermischer Widerstand
  • Trägt zur Reduzierung des ECU-Volumens oder der PCB-Fläche bei
  • Trägt zur PCB-Kostensenkung bei (Fläche, Cu und Vias)
  • Reduziert den PCB- und Systemdesignaufwand
  • Unterstützt das Erzielen der höchsten Leistungsdichte
  • Reduziert Leitungsverluste
  • Überlegenes Betriebsverhalten
  • Optimal für Parallelanordnung
  • Qualität und Robustheit für Fahrzeuganwendungen
  • Option für eine zweite Bezugsquelle

Applikationen

  • Fahrzeuge:
    • 48 V elektrische Servolenkung (EPS)
    • LED-Frontbeleuchtung
    • DC-AC-Umrichter

Abmessungen

Technische Zeichnung - Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

OptiMOS™ 7 Fahrzeug Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Bieten Hochleistungsdichte geringe Leitungsverluste und optimiertes Schaltverhalten.

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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

Implementiert die Leistungs-MOSFET-Technologie mit innovativen, unbedrahteten, robusten 40-V-Leistungsgehäusen.

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Teilnummer Datenblatt Abfallzeit Id - Drain-Gleichstrom Verpackung/Gehäuse Pd - Verlustleistung Qg - Gate-Ladung Rds On - Drain-Source-Widerstand Anstiegszeit Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
IAUCN08S7N036TATMA1 IAUCN08S7N036TATMA1 Datenblatt 8 ns 129 A LHDSO-10 118 W 36 nC 3.6 mOhms 8 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUCN10S7L040ATMA1 IAUCN10S7L040ATMA1 Datenblatt 14 ns 130 A PG-TDSON-8 118 W 44.3 nC 3.3 mOhms 5.9 ns 100 V 16 V 2 V
IAUCN08S7L018ATMA1 IAUCN08S7L018ATMA1 Datenblatt 25 ns 210 A PG-TDSON-8 169 W 79.9 nC 1.8 mOhms 11 ns 80 V 20 V 2 V
IAUCN08S7L024ATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1 Datenblatt 20 ns 177 A PG-TDSON-8 148 W 65.2 nC 2.4 mOhms 9 ns 80 V 16 V 2 V
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 Datenblatt 14 ns 130 A PG-TDSON-8 118 W 44.3 nC 3.3 mOhms 5.9 ns 80 V 16 V 2 V
IAUZN08S7N046ATMA1 IAUZN08S7N046ATMA1 Datenblatt 7 ns 99 A PG-TDSON-8 94 W 27.2 nC 4.6 mOhms 3.7 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUZN10S7L289ATMA1 IAUZN10S7L289ATMA1 Datenblatt 2.6 ns 27 A PG-TDSON-8 45 W 10.9 nC 28.9 mOhms 1.2 ns 100 V 16 V 2 V
IAUZN10S7N078ATMA1 IAUZN10S7N078ATMA1 Datenblatt 5 ns 76 A PG-TDSON-8 94 W 22.2 nC 7.8 mOhms 3.6 ns 100 V 20 V 3.2 V
IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 Datenblatt 4 ns 35 A PG-TDSON-8 45 W 11.8 nC 17.7 mOhms 1.8 ns 80 V 16 V 2 V
IAUCN08S7N019TATMA1 IAUCN08S7N019TATMA1 Datenblatt 17 ns 223 A PG-LHDSO-10-2 180 W 68 nC 1.94 mOhms 16 ns 80 V 20 V 3.2 V
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-23 | Aktualisiert: 2026-05-12