Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 bietet ein umfangreiches 1.200 V Portfolio für alle Industrieapplikationen, die Kurzschlussfestigkeit/Robustheit erfordern. Der IGBT7 S7 ist ein effizienter, kurzschlussfester, robuster diskreter IGBT, der eine um mindestens 10 % niedrigere Sättigungsspannung als andere bietet.
Das Trenchstop IGBT7 S7 von Infineon ist mit sehr sanften EC7-Dioden (Emitter-gesteuert) mit voller Nennleistung erhältlich, die eine deutlich reduzierte IGBT-Sättigung VCEsat und einen niedrigen Qrr ermöglichen. Das IGBT7 bietet eine überragende Steuerbarkeit und Kurzschlussfestigkeit. Außerdem verfügt das Bauteil über eine hervorragende elektrische Leistung, eine bessere Steuerbarkeit, ein einfaches EMI-Design und eine höhere Zuverlässigkeit in rauen Applikationsbedingungen.
Merkmale
- Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT) von 8 µs
- Hohe Leistungsdichte
- Vollstrom, sanfte Diode mit niedrigem Qrr
- Hohe Zuverlässigkeit des Systems
- Überragende Steuerbarkeit
- Verbesserte Feuchtigkeitsbeständigkeit bei hohen Spannungen (HV-H3TRB Test bestanden)
- Schnellere, voll eingestufte, co-gepackte EC7-Diode, effizienter und sanfter als eine Rapid 1 Diode
Applikationen
- Motorantriebe
- UPS/PV
- Klimaanlagen-PFC
Technische Daten
- Höhere Durchschlagspannung von 1200 V
- Niedrige IGBT-Sättigung (VCEsat) und niedrige Dioden-Durchlassspannung (VF)
Merkmale und Vorteile
IGBT7 Vergleichstabelle
Hervorragende Option für alle Industrieapplikationen
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