SemiQ Featured Products
GEN3 1.200-V-SiC-MOSFET Diskrete Bauteile
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
GEN3 1.200-V-SiC-MOSFET-Leistungsmodule
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
GP3D050B170B QSiC™ 1.700 V SiC-Schottky-Diode
Wird in einem TO-247-2L-Gehäuse geliefert, das zur Erfüllung der Größen- und Leistungsanforderungen in einer großen Auswahl von Applikationen ausgelegt ist.
GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Halbbrückenmodule
Geringe Schaltverluste, niedriger thermischer Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und sehr robuste und einfache Montage.
GCMX 1.200 V SiC-MOSFET-Vollbrückenmodule
Ideal für Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.
GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.