Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN-Leistungsverstärker

Analog Devices ADPA1116 GaN-Leistungsverstärker zeichnen sich durch eine gesättigte Ausgangsleistung (POUT) von 39,5 dBm, einen leistungsverstärkenden Wirkungsgrad (PAE) von 40 % und eine Leistungsverstärkung von 23,5 dB (typisch) von 0,5 GHz bis 5 GHz bei einer Eingangsleistung (PIN) von 16,0 dBm aus. Der HF-Eingang und -Ausgang sind intern aufeinander abgestimmt und AC-gekoppelt. Eine Drain-Vorspannung von 28 V wird an die Pins VDD1 und VDD2 angelegt, die über integrierte Vorspannungsinduktivitäten verfügen. Der Drainstrom wird durch eine negative Spannung am VGG1-Pin eingestellt. Der ADPA1116 wird in einem Galliumnitrid(GaN)-Prozess hergestellt und ist in einem 32-Pin-Chip-Scale-Gehäuse erhältlich. Die ADPA1116 Verstärker von ADI sind für den Betrieb von -40 °C bis +85 °C spezifiziert.

Merkmale

  • Intern angepasster GaN-Verstärker, 0,3 GHz bis 6 GHz 39,5 dBm
  • HF-Eingang und HF-Ausgang AC-gekoppelt
  • Integrierte Drain-Vorspannungsinduktivitäten
  • 28 V Versorgungsspannung
  • 300 mA Ruhestrom
  • Ausgangsleistung von 39,5 dBm (typisch) von 0,5 GHz bis 5 GHz (PIN = 16,0 dBm)
  • Leistungsverstärkung 23,5 dB (typisch) von 0,5 GHz bis 5 GHz (PIN = 16,0 dBm)
  • PAE von 40 % (typisch) von 0,5 GHz bis 5 GHz (PIN = 16,0 dBm)
  • Kleinsignalverstärkung: 33,5 dB (typisch) von 0,5 GHz bis 5 GHz

Applikationen

  • Elektronische Kriegsführung
  • Kommunikation
  • Radar

Funktionales Blockdiagramm

Blockdiagramm - Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN-Leistungsverstärker

SCHNITTSTELLE-SCHALTPLÄNE

Schaltplan - Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN-Leistungsverstärker
Veröffentlichungsdatum: 2025-01-21 | Aktualisiert: 2025-02-24