Analog Devices Inc. MAX74840 JFET-Operationsverstärker
MAX74840 JFET-Operationsverstärker von Analog Devices sind Hochleistungs-Operationsverstärker mit Einfachversorgung, die für eine präzise Signalkonditionierung in anspruchsvollen analogen Applikationen entwickelt wurden. Der MAX74840 von ADI ist mit einer Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor(JFET)-Eingangsstufe ausgestattet und bietet einen extrem niedrigen Eingangsruhestrom (typischerweise im Picoampere-Bereich), wodurch er sich gut für die Anbindung an Sensoren mit hoher Impedanz wie Fotodioden und andere strombasierte Quellen eignet. Das Bauteil arbeitet mit einem breiten Versorgungsspannungsbereich von 5 V bis 30 V und verfügt über eine Rail-to-Rail-Ausgangs(RRO)-Stufe, wodurch es den dynamischen Signalbereich in Systemen mit Einfachversorgung maximieren kann, ohne dass eine negative Versorgungsschiene erforderlich ist.
Mit einem Gain-Bandbreitenprodukt von 8 MHz und einer hohen Anstiegsrate von bis zu 23 V/µs ermöglicht dieser Operationsverstärker ein schnelles Einschwingen und eine präzise Signalwiedergabe selbst beim Ansteuern der Eingänge moderner Analog-Digital-Wandler (ADCs) mit sukzessivem Approximationsregister (SAR). Der integrierte EMI-Eingangsfilter bietet eine hohe Immunität gegen Hochfrequenzstörungen und verbessert so die Robustheit in Umgebungen mit elektrischer Störbeeinflussung. Diese Eigenschaften machen den MAX74840 von ADI zu einer ausgezeichneten Wahl für Präzisionsfilter, Transimpedanzverstärker, ADC-Treiber und allgemeine Signalkonditionierungs-Applikationen, die geringes Rauschen, niedrigen Bias-Strom und eine breite Betriebsspannungsfähigkeit über einen erweiterten industriellen Temperaturbereich erfordern.
Merkmale
- Großes Gain-Bandbreitenprodukt von 8 MHz (typisch)
- Hohe Anstiegsrate
- 23 V/µs typisch (niedrig zu hoch)
- -18 V/µs typisch (hoch zu niedrig)
- Niedriger Eingangsruhestrom von ±15 pA (maximal) bei TA = +25 °C
- Niedrige Offsetspannung von ±10 mV (maximal) bei TA = +25 °C
- Niedrige Offsetspannungsdrift von ±4 µV/°C (typisch)
- Der Eingangsspannungsbereich beinhaltet Pin V-
- Rail-to-Rail-Ausgang
- 90 dB typisches elektromagnetisches Störungsunterdrückungsverhältnis (EMIRR) bei f = 1.000 MHz und f = 2.400 MHz
- RoHS-konform
Applikationen
- Sensorschnittstellen mit hoher Ausgangsimpedanz
- Fotodioden-Sensorschnittstellen
- Transimpedanzverstärker
- Treiber für Analog-Digital-Wandler (ADC)
- Präzisionsfilter und Signalkonditionierung
Technische Daten
- 36 V maximale Versorgungsspannung
- 36 V maximale differentielle Eingangsspannung
- Maximaler Eingangsstrom
- ±10 mA unbegrenzt
- ±100 mA bei <1 s="">
- Eingang-
- ±10 mV maximale Offsetspannung
- ±1 mV maximale Offsetspannungsanpassung
- ±4 µV/°C typische Offsetspannungs-Drift
- ±15 pA maximaler Eingangsruhestrom
- ±15 pA maximaler Eingangs-Offsetstrom
- -15,2 V bis 14 V Eingangsspannungsbereich
- 81 dB bis 98 dB typischer Gleichtaktunterdrückungsverhältnis-Bereich
- 109 dB bis 122 dB typischer Leerlauf-Spannungs-Gain-Bereich
- Typische Eingangskapazität
- 0,4 pF im Differentialmodus
- 3,6 pF im Gleichtakt
- 1013 Ω typischer Eingangswiderstand
- Ausgang
- 20 mA typischer Ausgangsstrom
- Typischer Kurzschlussstrom
- 42 mAA Quelle
- -51 mAA Senke
- 0,1 Ω bis 3 Ω typischer Ausgangs-Impedanzbereich mit geschlossenem Regelkreis
- Netzteil
- 81 dB bis 100 dB typischer Versorgungsspannungsdurchgriff-Bereich
- 1,05 mA maximaler Versorgungsstrom pro Verstärker
- 90 dB typisches EMI-Unterdrückungsverhältnis
- Dynamische Leistung
- -18 V/µs bis 23 V/µs typischer Anstiegsratenbereich
- 8 MHz typische Gain-Bandbreite
- 7 MHz typische einheitliche Durchtrittsfrequenz
- 15,5 MHz, -3 dB Bandbreite
- 53 ° typische Phasenmarge
- Typische Einschwingzeit
- 1,5 µs Einschwingzeit bis 0,1 %
- 2 µs Einschwingzeit bis 0,01 %
- Rauschleistung
- 0,75 µVp-p typisches Spannungsrauschen
- 12 nV/√Hz bis 30 nV/√Hz typischer Spannungsrauschdichte-Bereich
- 0,8 fA/√Hz typische Stromrauschdichte
- Typischer Klirrfaktor plus Rauschen
- 0,0003 % bei BW = 80 kHz
- 0,00035 % bei BW = 500 kHz
- Anpassung
- 0,5 mV (typisch) maximale Offsetspannung über die Temperatur
- 0,25 µV/°C typische Offsetspannungs-Temperaturdrift
- 5 pA maximaler Eingangsruhestrom, 0,5 pA typisch
- Typischer Nebensignaleffekt
- -112 dB bei f = 1 kHz
- -72 dB bei f = 100 kHz
- Unbegrenzte Ausgangs-Kurzschlussdauer gegen Masse
- -40 °C bis +125 °C Betriebstemperaturbereich
- -65 °C bis +150 °C Sperrschichttemperaturbereich
- +300 °C maximale Löttemperatur für 10 s
- 4 kV maximale ESD-Einstufung Human Body Model (HBM)
Vereinfachtes Schaltungsdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2026-03-17
| Aktualisiert: 2026-03-20