Analog Devices Inc. Operationsverstärker OPx82 Dual/Quad stromsparend und mit hoher Geschwindigkeit und JFET
Analog Devices OPx82 Dual/Quad stromsparende High-Speed JFET Operationsverstärker enthalten OP282 (Dual) und OP482 (Quad) Bauteile. Diese ADI-Verstärker liefern eine hervorragende Geschwindigkeit und behalten dabei außergewöhnlich niedrige Versorgungsströme bei. Diese Operationsverstärker sind auf Einheitsverstärkungsstabilität ausgelegt und bieten eine typische Anstiegsrate von 9 V/µs. Sie verbrauchen weniger als 250µA pro Verstärker und erreichen eine typische Gain von 4 MHz. Eine JFET- Eingangsstufe minimiert Bias-Strom auf nur wenige Picoampere und bleibt über den gesamten Temperaturbereich unter 500 pA. Die Offsetspannung bleibt beim Dual-Verstärker unter 3 mV und bei der Quad-Version unter 4 mV. Der OP282 ist in den Gehäusen Standard 8-polig, schmal SOIC und MSOP erhältlich. Der OP482 ist in den Gehäusen PDIP-14 und SOIC-14 sowie als 14-Ball WLCSP erhältlich.
Mit einer großen Ausgangsschwankung (innerhalb von 1,5 V jeder Versorgung), geringer Leistung und hoher Anstiegsrate sind die OP282/OP482 ideal für batteriebetriebene Systeme oder Applikationen mit Leistungsbeschränkung. Ein Gleichtaktbereich, der die positive Versorgung umfasst, macht die Bauelemente OP282/OP482 zu einer ausgezeichneten Wahl für die High-Side-Signalkonditionierung.
Merkmale
- Hohe Anstiegsrate von 9 V/µs
- Große Bandbreite von 4 MHz
- Niedriger 250 µA (maximaler) Versorgungsstrom pro Verstärker
- Geringe Offsetspannung von 3 mV (maximal)
- Niedriger 100pA (maximal) Bias-Strom
- Schnelle Einschwingzeit
- Gleichtaktbereich V+
- Einheitliche Verstärkung
- 14-Ball Wafer-Level Chip Scale für Quad
Applikationen
- Aktive Filter
- Schnelle Verstärker
- Integratoren
- Versorgungsstromüberwachung
Technische Daten
- Eingang-
- Höchste Offsetspannung 4,5 mV (OP282) und 6 mV (OP482)
- 100 pA bis 500 pA maximaler Eingangsruhestrombereich
- 50 pA bis maximaler 250 pA Eingangs-Offsetstrom
- +15 V Maximaler Eingangsspannungsbereich
- Typische 90 dB Gleichtaktunterdrückungs verhältnis
- Große Signalspannungs-Gain: 15 V/mV bis 20 V/mV
- 10µV/°C typischer Offset-Spannung Drift
- 8pA/°C typisch Bias-Strom Drift
- Ausgang
- Ausgangsspannung
- 13,9 V typischer Höchstwert
- -13,5 V typischer Mindestwert
- Kurzschluss-Strombegrenzung
- 10 mA typische Quelle
- -8 mA maximale Ableitvorrichtung
- 200Ω maximale Ausgangsimpedanz im offenen Regelkreis
- Ausgangsspannung
- Unbegrenzte Ausgangskurzschlussdauer
- Netzteil
- Maximaler Versorgungsspannungsdurchgriff 316 µV/V, typischerweise 25 µV/V
- Maximaler Versorgungsstrom/Verstärker 250 µA, typischerweise 210 µA
- Versorgungsspannungsbereich: ±4,5 V ±18 V
- Dynamisches Betriebsverhalten
- Typische Anstiegsrate von 9 V/µs
- Bandbreite bei voller Leistung von 125 kHz
- Typische Einschwingzeit von 1,6 µs
- Typisches Verstärkungs-Bandbreitenprodukt von 4 MHz
- 55 ° typische Phasenreserve
- Rauschleistung
- 1,3µV pp typisches Spannungsrauschen
- 36 nV/√Hz typische Spannungsrauschdichte
- 0.01pA/√Hz typische Stromrauschdichte
- -40 °C bis +85 °C Betriebstemperaturbereich
- +300 °C maximale Löttemperatur (60 s)
- 8-polige MSOP, 8-polige SOIC_N, 14-polige SOIC_N, 14-polige PDIP und 14-Ball WLCSP-Gehäuseoptionen
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Veröffentlichungsdatum: 2025-10-02
| Aktualisiert: 2025-10-13