Analog Devices Inc. SSM2212 Dualer NPN-abgeglichener Transistor

Der Analog Devices SSM2212 umfasst ein duales NPN-abgeglichenes Transistorpaar, das speziell entworfen wurde, um die Anforderungen von extrem rauscharmen Audiosystemen zu erfüllen. Mit seinem extrem niedrigen Basis-Ausbreitungswiderstand (typischer rbb von 28Ω) und hoher Spannungsverstärkung (typischer hFE über 600 bei IC = 1mA) kann der SSM2212 außergewöhnliche Signal-Rausch-Verhältnisse erzielen. Die hohe Spannungsverstärkung ergibt eine überragende Leistung im Vergleich zu Systemen, die handelsübliche monolithische Verstärker verwenden. Ausgezeichnete Anpassung der Stromverstärkung (ΔhFE) bis ca. 0,5% und ein geringer VOS von weniger als 10μV (typ.) machen den SSM2212 ideal für symmetrisch ausgewogene Designs, die die harmonische Verzerrung von Verstärkern hoher Ordnung reduzieren. Die Stabilität der Anpassungsparameter ist durch Schutzdioden über den Basis-Emitter-Übergang gewährleistet. Diese Dioden verhindern die Degradierung von Beta- und Anpassungseigenschaften aufgrund der Sperrspannung des Basis-Emitter-Übergangs. Der SSM2212 ist auch eine ideale Wahl für präzise und zuverlässige Ruhestrom- und Spiegel-Schaltungen. Da sich die Genauigkeit der Stromspiegel exponentiell mit den Fehlpaarungen der VBE zwischen Transistorpaaren verringert, erfordert die niedrige VOS des SSM2212 in den meisten Schaltungsanwendungen keine Offsettrimmung.

Excellent matching of the current gain (ΔhFE) to approximately 0.5% and low VOS of less than 10μV typical make the SSM2212 ideal for symmetrically balanced designs, which reduce high order amplifier harmonic distortion. The stability of the matching parameters is guaranteed by protection diodes across the base-emitter junction. These diodes prevent degradation of beta and matching characteristics due to reverse biasing of the base-emitter junction.

The SSM2212 is also an ideal choice for accurate and reliable current biasing and mirroring circuits. Furthermore, because the accuracy of a current mirror degrades exponentially with mismatches of VBE between transistor pairs, the low VOS of the SSM2212 does not need offset trimming in most circuit applications.

Merkmale

  • Very low voltage noise: 1nV/√Hz maximum at 100Hz
  • Excellent current gain match: 0.5%
  • Low offset voltage (VOS): 200μV maximum (SOIC)
  • Outstanding offset voltage drift: 0.03μV/°C
  • High gain-bandwidth product: 200MHz

Pin Connections

Schaltungsanordnung - Analog Devices Inc. SSM2212 Dualer NPN-abgeglichener Transistor
Veröffentlichungsdatum: 2015-08-31 | Aktualisiert: 2022-03-11