Analog Devices / Maxim Integrated DS28E80 1-Wire-Speicherchip
Der Maxim DS28E80 ist ein benutzerprogrammierbarer, nichtflüchtiger Speicherchip. Im Gegensatz zu flüchtigen Speicherzellen, verwendet der DS28E80 eine Speicherzellentechnologie, die gegen Gammastrahlung beständig ist. Er verfügt über 248-Bytes Arbeitsspeicher, der in Speicherbausteinen zu 8-Bytes aufgeteilt ist. Einzelne Speicherblöcke können schreibgeschützt werden. Jeder Speicherblock kann 8 Mal beschrieben werden. Der DS28E80 kommuniziert über den Einzelkontakt-1-Wire®-Bus bei Standard- oder Overdrive-Geschwindigkeit. Jedes Gerät verfügt über seine eigene und unveränderbare 64-Bit-Registriernummer, die im Werk auf den Chip programmiert wird. Die Kommunikation folgt dem 1-Wire-Protokoll mit einer 64-Bit-Registriernummer, die im Falle eines 1-Wire-Netzwerks mit mehreren Geräten als Knotenadresse fungiert.
Merkmale
- High gamma resistance allows user-programmable manufacturing or calibration data before medical sterilization
- Resistant up to 75kGy (kiloGray) of gamma radiation
- Reprogrammable 248 bytes of user memory
- Compact package and single IO interface reduces board space and enhances reliability
- Unique factory-programmed, 64-bit identification number
- Communicates at 1-wire standard speed (15.3kbps max) and overdrive speed (76kbps max)
- 3.3V ±10%, -40°C to + 85°C reading, 0°C to +50°C writing operating range
- ±8kV HBM ESD protection (typ) for IO pin
- 6-Pin TDFN package
- Advanced 1-wire protocol minimizes interface to just single contact
- Lower block size provides greater flexibility in programming user memory
- Memory is organized as 8-byte blocks
- Each block can be written eight times
- User-programmable write protection for individual memory blocks
Applikationen
- Identification of medical consumables
- Identification and calibration medical tools/accessories
Block Diagram
Veröffentlichungsdatum: 2015-01-27
| Aktualisiert: 2023-04-19