Analog Devices / Maxim Integrated MAX2270x Isolierte Gate-Treiber mit extrem hoher CMTI
Maxim MAX2270x Isolierte Gate-Treiber mit extrem hoher CMTI sind isolierte Einkanal-Gate-Treiber mit extrem hoher Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI) von 300 kV/µs (typisch). Die Bauteile sind für den Antrieb von Siliziumkarbid(SiC)- oder Galliumnitrid(GaN)-Transistoren in verschiedenen Wechselrichter- oder Motorsteuerungsapplikationen ausgelegt. Alle Bauteile verfügen mithilfe der proprietären Prozesstechnologie von Maxim über eine integrierte digitale galvanische Trennung. Die Bauteile sind in Ausführungen für Ausgangsoptionen mit dem gängigen GNDB-Pin des Gate-Treibers (MAX22700), mit Miller-Klemme (MAX22701) oder mit einstellbarer Unterspannungssperre (UVLO) (MAX22702) verfügbar. Außerdem werden Ausführungen mit Differential- (D-Versionen) oder einendigen Eingängen (E-Versionen) angeboten. Diese Bauteile übertragen digitale Signale zwischen Schaltungen mit verschiedenen Leistungsbereichen. Alle Bauteile verfügen über eine Isolierung für eine Widerstandsspannung von 3 kVRMS für 60 Sekunden.
Alle Bauteile unterstützen eine minimale Pulsbreite von 20 ns mit einer maximalen Pulsbreitenverzerrung von 2 ns. Bei einer Umgebungstemperatur von +25 °C ist die Laufzeitverzögerung zwischen den Bauteilen innerhalb von 2 ns (max.) und bei einem Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +125 °C innerhalb von 5 ns abgestimmt. Diese Funktion reduziert die Totzeit des Leistungstransistors, wodurch der Gesamtwirkungsgrad verbessert wird. Der MAX22700 und MAX22702 haben einen maximalen RDSON von 1,25 Ω für den Low-Side-Treiber und der MAX22701 verfügt über einen RDSON von 2,5 Ω für den Low-Side-Treiber. Alle Bauteile verfügen über einen maximalen RDSON von 4,5 Ω für den High-Side-Treiber.
Der MAX2270x kann zum Antrieb von SiC- oder GaN-FETs mit einer anderen Ausgangs-Gate-Treiberschaltung und B-seitigen Versorgungsspannungen verwendet werden. Alle Bauteile der MAX2270x-Produktfamilie sind in einem schmalen 8-Pin-SOIC-Gehäuse mit einer Kriech- und Luftstrecke von 4 mm erhältlich. Das Gehäusematerial hat einen CTI-Index (Vergleichszahl zur Kriechwertbildung) von mindestens 600 V und hat dadurch eine Einstufung der Gruppe 1 in Kriechwerttabellen. Alle Bauteile sind für den Betrieb bei Umgebungstemperaturen von -40 °C bis +125 °C eingestuft.
Merkmale
- Angepasste Laufzeitverzögerung
- Minimale Pulsbreite: 20 ns
- Laufzeitverzögerung bei Raumtemperatur: 35 ns
- Anpassung der Laufzeitverzögerung zwischen Bauteilen bei Raumtemperatur: 2 ns
- Anpassung der Laufzeitverzögerung zwischen Bauteilen bei einem Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C: 5 ns
- Robuste galvanische Trennung
- Hält 3 kVRMS 60 Sek. (VISO) lang stand
- Hält ununterbrochen 848 VRMS (VIOWM) stand
- Hält ±5 kV Stoßstrom zwischen GNDA und VSSB mit einer Wellenform von 1,2/50 μs stand
- Präzisions-UVLO
- Optionen zur Unterstützung einer großen Auswahl von Applikationen
- 3 Ausgangsoptionen: GNDB, Miller-Klemme oder einstellbare UVLO
- 2 Eingangskonfigurationen: einendig mit Freigabe (E-Versionen) oder Differential (D-Versionen)
Applikationen
- Isolierter Gate-Treiber für Wechselrichter
- Motorantriebe
- USV- und PV-Wechselrichter
Dazugehörige Development Tools
Analog Devices / Maxim Integrated MAX2270xEVKIT Evaluierungskits
Bewährtes Design zur Evaluierung aller MAX2270x isolierten Einkanal-Gate-Treiber.
MAX22701E Blockdiagramm
