Bourns Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode des Modells BID

Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) von Bourns kombinieren die Technologie eines MOSFET-Gates und eines Bipolartransistors und sind für Hochspannungs-/Hochstromanwendungen konzipiert. Die IGBTs des Modells BID verwenden eine fortschrittliche Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, um eine bessere Steuerung der dynamischen Eigenschaften zu bieten, was zu einer niedrigeren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und weniger Schaltverluste führt. Die IGBTs verfügen über einen Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C und sind in TO-252-, TO-247- und TO-247N-Gehäusen verfügbar. Diese thermisch effizienten Bauelemente bieten einen geringeren thermischen Widerstand, wodurch sie sich für IGBT-Lösungen für Schaltnetzteile (SNT), unterbrechungsfreie Stromquellen (USV) und Blindleistungskompensations-Applikationen (PFC) eignen.